SrAl_(2)O_(4):Eu^(2+),Dy^(3+),Tm^(3+)荧光材料的光激励诱导长余辉特性及其防伪应用

防伪技术的提升关乎国家安全和社会稳定,对于当今社会信息安全领域十分重要。光存储荧光材料由于其成本低、分辨率高和响应速度快等特点在防伪领域展现出巨大优势。然而,荧光材料防伪模式单一以及对激发波长要求较高等一系列问题,一定程度上限制了其实际应用。SrAl_(2)O_(4)∶Eu^(2+),Dy^(3+)(SAO∶Eu^(2+),Dy^(3+))作为最成功的长余辉发光材料,在弱光照明、发光涂料和道路指示标牌等领域具有广泛的应用。其长余辉现象归因于载流子在室温下受热扰动释放的过程,且依赖于有效陷阱的数量和浓度。因此,在该材料中构建陷阱将有效拓展其光存储的相关性能,一直受到关注。本文通过在光存储荧光材料SAO∶Eu^(2+),Dy^(3+)中引入Tm^(3+)离子可以调控陷阱密度及结构,在减少浅陷阱密度的同时增加了深陷阱浓度,进而有效调控载流子在陷阱中的存储与释放过程。通过980nm近红外激光诱导深陷阱释放载流子可再次被浅陷阱捕获,表现出明显的光激励长余辉发射。基于此,本工作探索了一种温度和时间维度的多模式防伪技术,实现二进制编码的读写。因此,本工作通过对SAO∶Eu^(2+),Dy^(3+)的陷阱调控实现动态防伪和光学信息存储,可拓展该荧光材料在信息安全领域的应用。