光激电流谱的测试

用光激瞬态电流谱ＯＴＣＳ（ｏｐｉｔａｌｔｒａｎｓｉｔｉｏｎｃｕｎｅｎｔｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）方法对ＩｎＰ∶Ｆｅ进行了初步测试。目的是研究半绝缘ＩｎＰ∶Ｆｅ中的深能级，了解其作为光电器件、高速器件衬底的稳定性。在低温下，用强光发现半绝缘ＩｎＰ∶Ｆｅ中存在两深能级，分别是ＥＴ＝０．３４ｅＶ的电子陷阱和ＥＴ＝１．１３ｅＶ的空穴陷阱。

用OTCS方法测量InP:Fe中的深能级

用光激瞬态电流谱（ＯＴＣＳ）方法测量半绝缘ＩｎＰ：Ｆｅ的深能级，研究了光强对ＯＴＣＳ测试的影响。在低温下，用强光测得ＩｎＰ：Ｆｅ中存在ＥＴ＝０．３４ｅＶ的电子陷阱和ＥＴ＝１．１３ｅＶ的空穴陷阱。光强增大，ＥＴ＝０．３４ｅＶ的电子陷阱的ＯＴＣＳ峰的位置向高温方向移动，不同的光强下测得的ＥＴ也不同。文章从光的强度影响深能级的填充率对ＥＴ进行了理论修正，实验上发现修正后误差大大减小了。