HgCdTe长波光电二极管列阵的等离子体修饰

报道了HgCdTe长波离子注入n+-on-p型光电二极管列阵低能氢等离子体修饰的研究成果.基于采用分子束外延(MBE)技术生长的HgCdTe/CdTe薄膜材料,通过注入窗口的光刻与选择性腐蚀、注入阻挡层的生长、形成光电二极管的B+注入、光电二极管列阵的低能氢等离子体修饰、金属化和铟柱列阵的制备等工艺,得到了氢等离子体修饰的n+-on-p型HgCdTe长波光电二极管列阵.从温度为78 K的电流与电压(I-V)和动态阻抗与电压(R-V)特性曲线中,发现经过低能氢等离子体修饰的HgCdTe红外长波光电二极管列阵动态阻抗极大值比未经过修饰处理的提高了1～2倍,并在反向偏压大于动态阻抗极大值所处的偏压时动态阻抗得到更为明显的提升.这表明低能氢等离子体修饰可以抑制HgCdTe光电二极管列阵暗电流中的带带直接隧穿电流Ibbt和缺陷辅助隧穿电流Itat,从而能提高长波红外焦平面探测器工作的动态范围和探测性能的均匀性.

虚拟仪器实现自扫描光电二极管列阵信号峰值的采集

采用虚拟仪器的方式，在速度较低的采集卡上快速、简便而准确地实现了自扫描光电二极管信号峰值的采集，提出了两种实现方法。并通过实验证实了其中用ＳＳＰＤ延时后的φ时钟代替数据采集卡内部时钟，完成ＳＳＰＤ信号峰值采集的方法是可行的。

硅全耗尽背照式光电二极管列阵的研制

在高电阻率的N型硅衬底上制作出全耗尽背照式的光电二极管。电阻率约为15000Ω.cm的硅衬底可以得到几百微米深的耗尽区,而通过在光电二极管的正背面施加一定的偏压就可以使其工作在全耗尽背照式的模式下。背面的浅结可以得到比较好的短波响应,而相对大的耗尽宽度可以在近红外处得到比较好的响应。测试结果表明器件在偏压为30V时,1μm处的峰值响应达到0.72A/W,量子效率达90%。

CL—32—1、CL64型扫白描光电二极管列阵

内容简介及技术水平:自扫描光电二极管列阵是一种新型固体图象传感器,它将光电二极管线阵与MOS开关及扫描电路集成于同一硅片组成。CL32、CL64在部分主要技术参数接近和达到80年代初国外同类产品水平;国内仅我校研制,系填补国内空白。

高灵敏度可见光盲AlGaN光电二极管和光电二极管列阵

在过去的五年中,Ⅲ-Ⅴ族氮化物得到了迅速的发展.这不仅促进了蓝色和绿色发光二极管的商业化,同时还促使人们研制出了紫色激光二极管和各种电子器件.除此之外,人们还研制出了一些基于光导元件和列阵的光电探测器以及结器件.

光电二极管列阵在涂料电脑测色配色仪中的应用

论述了CCPD光电二极管列阵的性能、特点，列阵的控制电路，列阵光电信号计算机数据采集及其在涂料电脑测色配色仪中的应用。

用光电二极管列阵测干涉条纹周期的精度分析

分析了用1024单元的光电二极管列阵测量干涉条纹周期时,采样密度对测量精度的影响.采样数据的量化为256,每个干涉条纹的采样点数从10至30左右时,测量精度最高,可优于2×10^(-5).量化小时,最佳采样密度变小.

光电测量二维微角位移的新方法研究与实现

为了解决对旋转台定位精度校准的同时又能对其台面俯仰角度进行测量的问题,提出了一种光电测量二维微角位移的新方法。在激光自准直光路中,采用数字信号处理器(DSP)获取准直物镜焦平面上V字形分划板在自扫描光电二极管列阵(SSPA)上两次成像之间的位移量,根据光学成像原理与像的外形特征,建立了像的平面位移量与被测物体二维角位移量的关系式,计算出角位移量。此方法测量精度达到0.9″,满足校准的需要。

光电成象技术及器件

TN142.4 96021283 全静电摄像管的制造工艺研究=Technologicalstudy of all—electrostatic camera tube[刊,中]/董亚强,吕忠诚,常本康(南京理工大学电子工程与光电技术学院。江苏,南京(210094))∥南京理工大学学报。—1995,19(5)。—453—456 根据采用图案型聚焦偏转电极的全静电摄像管的结构特点,分析研究了影响整管性能的关键工艺。设计并制作出了两种不同结构的性能良好的18mm全静电摄像管。图4参6(邹振书)

光电成象技术及器件

TN144 97021218微光象增强器光子增益的测试研究=Research onthe testing of LLL image intensifier photogain[刊,中]/孙立群,白丽华(西安交通大学.陕西,西安(710043)),向世明,贾福熙(西安应用光学研究所.陕西,西安(710100))//应用光学.—1995,16(5).—20—23在图象光子计数探测系统中。

光电探测技术及器件

TN29 96010452GeSi波导探测器中的光吸收=Light absorptionin GeSi waveguide detectors[会,中]/刘育梁,王启明（集成光电子国家重点联合实验室吉林大学实验区）∥第六届纤维光学集成光学学术会议。—成都,94.10该探测器的光吸收层为Si/GexSi1-x组成的多量子阱结构。由于应变层临界度的限制,Ge含量X和吸收层厚度H是相互制约的。一般的,为了加强光吸收,总是尽可能地提高Ge含量,从而使H变得相当小。

硅PIN光电探测器

利用成熟的半导体平面工艺,采用高阻硅(Si)单晶,我们已成功地制造了四种光电探测器。1.单个的 Si—PIN 光电二极管2.Si 象限探测器3.Si 光电压探测器4.

工业X-CT新型探测器技术

探测器及其技术是工业X CT系统中的关键技术之一。文中提出了基于光纤面板光耦合及传输 ,采用闪烁晶体和自扫描光电二极管列阵器件的X射线新型探测器技术方案 ,并对此方案进行了实验研究。结果表明 ,该新型探测器技术方案具有结构紧凑、性能可靠且分辨率高等特点 ,可以实际应用于工业X CT系统中。

二维光能量分布传感器特性及其测试技术

楔形自扫描光电二极管列阵(CSSPA)是一个直接用于接收中心对称谱分布的二维空间光能量传感器.当照度为0～0.51X·S时,其特性对颗粒测量准确度有较大的影响,为此组建了基于M公司虚拟仪器平台的测试装置,用双斜率分段法实现了CSSPA的特性测试.为改进传感器特性提出增加小环面积,降低小环斜率、提高大环斜率等建议.

扇形SSPD信号峰值的采集与处理

根据扇形 SSPD——自扫描光电二极管列阵的工作原理及信号特点 ,提出了一种计算机控制的数据采集与处理方法 ,包括串行微弱信号放大、时序配合、低泄漏快速峰值保持、高速 A/ D转换以及非线性修正等内容 ,可以以较高的精度实时采集到 SSPD各环的峰值。可应用于空间光能量分布的探测中。

海面光谱辐射计系统研制及遥感反射比的测量

本文报道海面光谱辐射计的研制、定标和海上现场实验测量。运用一个 2 5 6元光电二极管列阵传感器件测量海面离水辐亮度和向下辐照度的光谱分布 ,可计算得出遥感反射比。该仪器所测量的数据可以用于海洋方面相关专业的科学研究 。

近红外光纤光谱仪

StellarNet公司提供一种用于0．9μm-1．7μm和1．5μm-2．2μm光谱范围的高分辨率光纤光谱仪。这是一种无活动光学部件的微型便携式光谱仪，它采用512元或者1024元的热电致冷型InGaAs光电二极管列阵作探测器，并通过USB2接口或者并行端口与PC机连接，探测器敏感元的面积为25μm×500μm，具有很高的灵敏度，一个2．5MHz的数字转换器能够在1ms内获得一张近红外光谱图。一个任选的锂离子电池便能让光谱仪连续工作6小时并能让制冷机把探测器致冷到-10℃。这种光谱仪的主要用途是化学分析。

光探测与器件

TL816.1 2002021366工业 X-CT 新型探测器技术=Experimental studyof a novel detector’s technique for industrial X-ray computed tomography(CT)[刊,中]/魏彪(重庆大学光电工程学院.重庆(400044)),潘银松,先武(重庆大学机械工程学院.重庆(400044))∥重庆大学学报.—

眼镜、放大镜、显微镜、望远镜

提出了一种采用光学投影成像和自扫描光电二极管列阵(SSPA)传感器实现隐形眼镜曲率、光学中心厚度和直径测量的新方法,基于此方法设计成功了一种新型隐形眼镜投影测量仪。介绍了仪器的测量原理、仪器结构、光电二极管列阵信号采集以及单片机控制系统的硬件和软件设计。该测量仪测量镜片曲率半径的精度优于士0.1 mm。

近红外光谱仪

由StellarNet公司生产的NIRX—SR系列光谱仪采用512元的InGaAs光电二极管列阵和高速USB 2．0接口，其工作波长范围为0．9μm至2．2μm。这种坚固防震的光谱仪配置两级热电致冷器和具有高光谱分辨率的光学元件。当用于特殊的光谱研究时，该仪器可选用1024元的探测器列阵，从而可将其光谱分辨率从16nm提高到8nm。内含的SpectraWiz软件使得这种光谱仪可适合各种应用，其中包括光谱辐射测量、光谱测量、化学分析和遥感等。