光电化学腐蚀条件对多孔硅阵列的影响

采用光电化学腐蚀的方法在腐蚀电压为1.3 V,腐蚀液配比为HF(40%):C2H5OH(99%):H2O=1:7:1(体积比)和卤素灯为光源的条件下获得了结构整齐、孔道均匀的多孔硅阵列。研究表明,随着电压的增大,孔壁侧蚀严重,孔壁有分叉现象;随着HF浓度的增加,制备的多孔硅阵列孔深增加,腐蚀速度增加;光源的不同会导致孔道内部均匀程度的不同。最后得出了最佳的刻蚀参数条件,得到了长径比大于50,孔道结构外壁均匀光滑的多孔硅阵列。