X光电子能谱分析中光电子峰和俄歇峰的干扰及消除

X光电子能谱(XPS)在分析多元素材料时,光电子峰可能受到其它元素俄歇谱的干扰。在AlKα激发CrZnSi合金样品时,光电子峰Cr2p和俄歇峰ZnLMM相互干扰,而换用双阳极中的MgKα源激发,虽可消除此相互干扰,但样品表面的C1s和N1s又会受到ZnLMM干扰。类似地,AlKα激发的GaN样品中N1s受俄歇峰GaLMM的严重干扰,而换用MgKα源激发时,C1s峰又受到的GaLMM的干扰。交替使用Mg/Al双阳极激发源,可改变XPS分析中的俄歇谱及其背景对光电子峰的干扰位置,并用未受干扰的峰互相校正2组谱图能量位置,以对样品谱峰作出正确的分析。

从光电子峰的背景信号获得成分深度分布信息:Tougaard背景拟合方法

光电子谱中的背景信号包含样品的信息 ,但过去往往被忽略。实际上通过分析背景信号 ,可以获得成分随深度分布等信息。本文介绍Tougaard背景拟合法及其在光电子谱深度剖析中的应用。

X光照引起的Cu2p_(3/2)光电子峰位移及酞菁铜分子内的电荷转移

用光电子谱研究了X光辐照下酞菁铜分子内的电荷转移情况。通过改变X光源的功率 ,发现高功率下Cu 2p3/ 2的光电子峰相对于低功率下的Cu 2p3/ 2 峰有 0 11eV的位移。由此推断在X光辐照下 ,有负电荷从铜原子转移到分子的其他部分。这一现象有助于解释金属酞菁在光照下分子内的电荷转移机理及光导现象。