多通道光离化的光电子干涉效应及空间角分布

利用光电子角分布成像光谱技术原理,以钠原子为例利用双光子共振三光子电离方法研究了从钠原子的4D态双能级电离后所产生的光电子角分布的状态.分析、讨论了多通道电离过程中所产生光电子的干涉效应.分析了光电子的空间角分布各部分的物理意义.结果表明该干涉图谱能够清楚地描绘出光电子能量和空间角分布状态.

钾原子双光子电离光电子成像光谱分析

基于光电子角分布成像光谱技术的基本原理,以钾原子为例,在理论上讨论单光子共振双光子电离方法获得的光电子成像光谱。光电子空间角分布与电离过程中的干涉作用有关,最后分析干涉图与原子能态信息的关系。

反向旋转双色椭偏场中原子隧穿电离电子的全息干涉

利用数值求解含时薛定谔方程和强场近似理论研究了反向旋转双色椭偏光场中氩原子隧穿电离电子的干涉.固定两脉冲的椭偏率均为0.3,当两椭偏场的相对相位为0.25π时,光电子动量谱中周期内干涉、叉状全息干涉和弧形全息干涉相互重叠.当两椭偏场的相对相位为0时,光电子动量谱中弧形全息干涉消除,并且周期内干涉和叉状全息干涉被彻底分离到动量谱的左右部分,从而得到一个在空间上独立的叉状全息干涉条纹.进一步研究表明,通过改变两椭偏光场的椭偏率还可以增强或抑制该独立叉状全息干涉条纹.这为干涉条纹的控制和分离提供了一个有效的手段,同时也有利于从全息干涉条纹中提取靶材结构信息和电子超快动力学信息.

电离光电子的干涉效应与空间角分布

基于光电子角分布成像光谱技术的基本原理,讨论了单光子共振三光子电离方法获得的光电子成像图,同时也分析了光电子角分布的物理含义。着重研究了多通道电离过程中光电子的干涉作用对成像光谱的影响;分析了光电子空间角分布以及光电成像光谱与原子能态信息的关系。

量子光场驱动下氢原子强场电离的研究(特邀)

通过对三维含时薛定谔方程进行数值求解,深入探讨氢原子在量子光场驱动下的强场电离现象。着重考察光场的量子特性对光电子动量谱中干涉结构的影响。研究结果显示,在明亮真空压缩(BSV)态光场(即量子光)的作用下,相较于相干态光场(准经典光),光电子的阈上电离能谱呈现出更高的截止能量。此外,量子光场的光子统计效应对光电子的干涉产生了重要影响。在BSV态光场的驱动下,光电子周期内的干涉条纹被抹平,而周期间的干涉结构即阈上电离峰依然显著。值得注意的是,光电子的全息干涉结构即直接电离电子与前向再散射电子的干涉条纹仍然存在。