第五届光电子集成芯片立强大会

2024年7月深圳https://b2b.csoe.org.cn/meeting/FPIC2024.html为进一步推动光电子与交叉领域的技术交流、产业链合作和人才培养,展示光电子集成芯片材料、器件、工艺平台、仿真设计、封测技术及其在光通信、数据中心、高性能计算、多维存储与显示、无人驾驶、传感与成像等领域的应用,中国光学工程学会将联合业内优势单位,于2024年7月13-18日在厦门举办“第四届光电子集成芯片立强论坛”。本届盛会设有15个专题分会,力邀200余位学术界、工业界领军专家出席,开展广泛的交流探讨。同期将举办圆桌论坛、专家讲座、培训、光电产业化论坛、光电科技创新优秀成果展等活动,为与会者提供新的技术思路和前沿信息,向企业、科研人员、老师学生提供专业级学习机会。

第五届光电子集成芯片立强大会

为进一步推动光电子与交叉领域的技术交流、产业链合作和人才培养,展示光电子集成芯片材料、器件、工艺平台、仿真设计、封测技术及其在光通信、数据中心、高性能计算、多维存储与显示、无人驾驶、传感与成像等领域的应用,中国光学工程学会将联合业内优势单位,于2024年7月在厦门举办“第四届光电子集成芯片立强论坛”。本届盛会设有15个专题分会,力邀200余位学术界、工业界领军专家出席,开展广泛的交流探讨。同期将举办圆桌论坛、专家讲座、培训、光电产业化论坛、光电科技创新优秀成果展等活动,为与会者提供新的技术思路和前沿信息,向企业、科研人员、老师学生提供专业级学习机会。

基于压电效应的光电子集成技术研究进展(特邀)

压电效应是一种实现电能与机械能之间相互转换的重要物理现象。随着集成光电子技术和压电薄膜材料制备技术的日益成熟,压电效应在光电子集成芯片领域引起广泛的研究。在压电效应的作用下,外部电场可以操控薄膜材料的形变,从而改变折射率,实现光电调谐和声光调制。本文首先介绍常见压电薄膜材料及其研究进展,随后回顾和探讨基于压电效应的光电子集成器件的研究进展。最后,对压电调谐器件和声光调制器的应用进行介绍和展望,分析其大规模应用面临的挑战和问题。

微光电子集成芯片及其应用

一、引言目前,半导体科学技术在低维结构物理、微腔物理、光学量子器件及电学量子器件、超高速电子器件与集成电路、微光电子集成芯片、微光机电系统(MOEMS)器件等方面的研究与发展,其特征尺寸都已进入深亚微米、十纳米以至纳米量级。所研究对象的低维化和结构的微细化不仅是其性能改善的要求。

光电子集成电路进展

较详细地介绍了光电子集成电路 (OEIC)中研究最广泛、并取得可喜成就的OEIC光接收机和OEIC光发射机的最新进展 ,展望了OEIC的应用前景 ,并提出了目前应解决的课题。

适于单片光电子集成的中止解理技术

本文对中止解理技术进行了较详细的讨论;并给出了实现中止解理技术的几种较理想的腐蚀液及其刻蚀速率曲线。

新颖光电子集成技术──异质半导体直接键合及其在器件研制中的应用

对十年来光电子集成技术的发展作了简要的回顾。着重介绍了近年来兴起的一种新颖的集成技术─-异质半导体直接键合技术的工艺和特点及其对新型光电子器件发展的推动。

155Mb／s长波长光电子集成组件的研究

研究了１５５Ｍｂ／ｓＬＤ光发射马区动器．光接收前置放大器、光接收前放＋主放等长波长光电子集成组件，适合当前ＳＤＨ光纤通信技术发展的需要．对上述３种１５５Ｍｂ／ｓ光电子集成组件的电路结构、ＰＩＮ／ＦＥＴ前放的ＰＳＰＩＣＥ计算机模拟结果及测试方法与测试结果，和研制组件所采用的光电子厚膜混合集成与微构装技术作了介绍．

光电子集成和光子集成器件

光电器件和光电子集成及光子集成(OEIC及PIC)是光电子技术的基础,也是整机性能优劣的标志,所以提高OEIC器件性能水平是发展光电子技术的关键。OEIC的概念于1971年首次提出,多年来一直是热门研究课题。70年代末,OEIC进展取得一系列重大突破,1978年,美国第一次成功研制出无腔面的适合于集成要求的DFB激光器,并将一个0.85μm GaAs激光二极管(LD)

光集成与光电子集成

把发射或者接收光信号的有源光子器件与无源波导器件(如分支器、耦合器、滤波器及光开关等)集成在单块半导体衬底上称为光集成(PIC);把发射或者接收光信号的有源光子器件与处理电信号和控制光子器件的电子电路制作在单块半导体衬底上称为光电子集成(OEIC)。目前研制的光集成不包含电子器件和电子电路,所以又称全光集成。而光电集成也不包含无源波导及光互连问题,即目前只侧重于光发射端机和光接收端机的集成。但从发展来看,它们将互相结合,应能将各类有源光子器件(激光器、发光二极管和探测器等)、光子控制器件(调制器、光开关等)、光子无源器件(光波导、耦合器、滤波器等)以及处理电信号(存储、放大、复用等)、控制光子器件的电子电路(驱动器、调制器等)制造在同一半导体衬底上,成为理想的光子电子集成电路。

Si基光电子集成器件研究进展

Si 基光电子集成已成为十分引人注目的研究课题,其工艺与 CMOS 工艺完全兼容,可以实现低成本的 Si 基光电子集成器件。本文综述近几年来 Si 基光电子集成器件的发展以及一些最新的研究进展,并对器件研制、发光机理和应用前景等方面做了详细的叙述。

光电子集成电路和应用

描述了光学互联控制和信号处理GaAs光电子集成电路的设计、建立和特性。介绍了实现实用光学互联的要求和方法。给出了光发射器和接收器的特性及设计要求。

InP光电子集成电路接收机前端的研究进展

由于具有可集成和器件固有速度的内在优势，ＩｎＰ光电子集成（ＯＥＩＣ）接收机在高速（≥１０Ｇｂ／ｓ）光纤通信系统和波分复用网络（ＷＤＭ）方面具有重要的应用，本文介绍了最近的研究进展。

100G SR4并行光模块光电子集成封装的研究

100G SR4并行光模块采用850 nm波长,单路25 Gb/s的传输速率,发射端使用4路VCSEL发射光,接收端使用4路PD接收光。文中介绍一种应用于100G SR4并行光模块的光电子集成封装方法——COB光折弯有源耦合封装技术。重点讨论了COB光折弯有源耦合封装技术的工艺并分析了Bonding的影响。采用此技术方法设计的100G SR4并行光模块具有耦合效率高、低成本和易实现的优点。

硅基光电子集成推进光学系统小型化发展

互联网和智能终端的快速应用使得全球的数据量爆发式增长，极大地推动了高性能超算中心和数据中心市场的发展。数据中心机架与机架之间以及未来多核处理器间数据通信需要满足低延时、高带宽、低功耗等要求，铜互连已不能满足这样的要求，势必要求信号通过光作为载体进行传输，在互连领域光进电退已经成为必然趋势。

微光电子集成系统芯片开始步入实用化阶段

微光电子集成系统芯片是将高密度的光子集成器件与大规模集成电路进行集成,构成具有实用价值的光电子集成系统,充分发挥出微电子技术的逻辑处理及存储能力和光子集成技术的高速高密度并行操作及输入/输出能力,在光互连、光交换、光通信、图象信号处理、模式识别、神经网络、光信息处理与存储等领域具有很广泛的应用前景。从目前器件研究的进展状况来看,研究处于发展阶段,由于应用性强,世界各大公司都在积极开展研究,国外一些公司的微光电子集成系统芯片器件开始步入实用化阶段。由微光电子集成系统芯片构成的光互连、光交换系统将在光电子信息技术领域中发挥重大作用。

光电子集成芯片技术发展现状与趋势

光电子集成芯片技术正处于高速发展时期。全球都投入了大量资源进行高端光电子器件的研发,在有关基础科学问题、关键技术、示范应用、产业推广等方面均有重大进展和突破。本文对光电子集成芯片技术国内外发展现状与趋势进行了梳理分析,并提出了我国进一步发展的对策建议。

光电子集成技术的进展

把激光器和光电二极管等光电子器件与其它光电子或电子器件集成在一起的光电子集成技术,是发展未来光波系统的关键。这是由于它在实现光电子器件的高性能、优良工艺性及良好功能性方面具有潜在的优点,而这是采用常规分立元件和装配技术所不能全面达到的。目前,由于其性能和制速工艺方面取得进展,应用于光通信和互连方面的光电子集成的发射器和接收器已投入研制。例如,以GaAs为基础材料的接收组件已实现LSI水平的集成度,而以InP为基础材料的集成激光器已能达到5～10Mbit/s的运行速度。同时,也可采用光电集成电路来实现各种光处理功能。例如,采用集成化激光器的光逻辑元件及用于波分复用和光外差检测的以波导为基础的电路,光电子集成不单对未来的通信,而且对未来的开关和计算机用的先进光系统将产生影响。本文论述了这项技术最近的进展,并讨论了其发展方向。

光电子集成技术及其应用

本文讨论有关ＯＥＩＣ材料和工艺的若干问题，并展望其在各种领域中的应用前景。

“光子和光电子集成”专题征文通知

光子和光电子集成技术是古老的光学学科的新兴前沿领域,它一方面通过光纤联系常规应用,另一方面正逐步走向集成芯片的未来。光子和光电子集成技术重点研究建立在各种材料平台上的光波导和微纳器件及其集成,包括波导和器件的设计、加工工艺、材料、集成方法等等,核心目标是实现更小、更快、更强的微纳光学功能器件、模块或芯片。光子和光电子集成技术是未来高速计算机和量子计算机等的关键技术。