氧氩比对ZnO薄膜微观结构及光电特性的影响

采用JGP300型超高真空磁控溅射系统,在蓝宝石(Al2O3)、p-Si和氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底上制备了ZnO薄膜。使用X射线衍射仪(XRD)、紫外分光光度计(UV)、原子力显微镜(AFM)分析了氧氩比对ZnO薄膜晶体结构、光学特性和表面形貌的影响。测试结果表明:ZnO薄膜均为单一六方纤锌矿结构,且均表现出c轴择优取向。随着氧氩比的减小,ZnO(002)衍射峰强度增大,衍射峰半高宽(FWHM)减小。氧氩比为1∶4条件下制备的ZnO薄膜结晶质量较好。随着氧氩比的增大,ZnO薄膜表面粗糙度先增大后减小。在可见光范围内(波长400~700 nm),氧氩比为3∶2条件下制备的ZnO薄膜,平均透过率超过70%。

石墨烯的光电特性及应用

石墨烯是纳米尺度的碳材料,具有很大的比表面积、良好的导电性及优秀的机械性质等特性。这些性质使得这种材料在很多领域都有极高的应用前景,本文以石墨烯材料为综述对象,介绍了它的基本性质、光电学特性,同时将对石墨烯在电子学领域中的发展前景进行展望,并提出一些个人观点及总结。

p型CuSCN半导体薄膜电沉积特征的研究

采用电化学沉积法分别用水和乙醇作溶剂在In2O3SnO2(ITO)透明导电玻璃上制备出了CuSCN薄膜。通过XPS分析表明:2种溶剂中制备的CuSCN薄膜均为SCN化学剂量比过量,具有p型半导体特征。研究了溶剂对CuSCN薄膜结构和光电学特性的影响。结果表明:在乙醇溶剂中能够制备出晶粒更加细化,致密度较高的CuSCN薄膜,电化学沉积制备的CuSCN薄膜具有βCuSCN结构,属于六方晶系,直接光学带隙为3.7eV,具有较高的透光率。电流时间或电位时间的变化曲线表明:利用薄膜的半导体电阻特性,可以影响薄膜的沉积行为。