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用微波光电导谱仪测量p—n结少子扩散长度
1
作者
褚幼令
王宗欣
吴天福
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第12期754-759,共6页
用微波光电导谱仪测量了一些pn结样品的微波光电导谱(MPCS),对于每一块样品光分别从p面和n面入射,因而可以测得不同的谱;讨论了从pn结的MPCS中计算p区、n区少子扩散长度的方法,并用计算机拟合得到这些样品的p区、n区少子扩散长度和表面...
用微波光电导谱仪测量了一些pn结样品的微波光电导谱(MPCS),对于每一块样品光分别从p面和n面入射,因而可以测得不同的谱;讨论了从pn结的MPCS中计算p区、n区少子扩散长度的方法,并用计算机拟合得到这些样品的p区、n区少子扩散长度和表面复合速度等参数;由于是无接触测试,因此本方法可作为某些pn结器件制造工艺过程中寻找最佳工艺条件的一种监测手段。
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关键词
光电导谱仪
P-N结
测量
少子扩散
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题名
用微波光电导谱仪测量p—n结少子扩散长度
1
作者
褚幼令
王宗欣
吴天福
机构
复旦大学物理系
复旦大学电子工程系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第12期754-759,共6页
基金
国家自然科学基金
文摘
用微波光电导谱仪测量了一些pn结样品的微波光电导谱(MPCS),对于每一块样品光分别从p面和n面入射,因而可以测得不同的谱;讨论了从pn结的MPCS中计算p区、n区少子扩散长度的方法,并用计算机拟合得到这些样品的p区、n区少子扩散长度和表面复合速度等参数;由于是无接触测试,因此本方法可作为某些pn结器件制造工艺过程中寻找最佳工艺条件的一种监测手段。
关键词
光电导谱仪
P-N结
测量
少子扩散
Keywords
Microwave devices
Optoelectronic devices
Photoconducting materials
Photoelectric devices
Photoelectricity
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用微波光电导谱仪测量p—n结少子扩散长度
褚幼令
王宗欣
吴天福
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993
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