用光电流法评价铜缓蚀剂

铜电极在Ｎａ＿２ＨＰＯ＿４－ＮａＯＨ缓冲溶液（ｐＨ＝１２）中光电流响应呈Ｐ－型，当溶液中含有一定量的ＢＴＡ或ＢＴ－２５０时，电位正向扫描过程中电极显示出阳极光电流，即光响应从Ｐ－型转变为ｎ－型，ｎ－型光响应的大小对应于缓蚀作用的大小。因此，可以用光电流法评价缓蚀剂的效果。交流阻抗法测得的结果与光电流法相符。

光电流法测试技术及其应用

本文介绍了可从0.7～4.0μm(1.77～0.31eV)进行波长扫描的光电流测试系统及其技术特点,测量了GaAs和InP样品的深能级,这些数据同有关文献测量的结果基本一致。

氢化非晶硅薄膜光吸收谱的恒定光电流测量法

本文报道了光吸收谱的恒定光电流（ＣｏｎｓｔａｎｔＰｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔＭｅｔｈｏｄ）测量法，并用其测量了高速沉积的氢化非晶硅薄膜（ａ－Ｓｉ：Ｈ）的光吸收谱，同时观测了ＳｔａｅｂｌｅｒＷｒｏｎｓｋｉ（ＳＷ）效应中样品吸收系数的变化。

阳极氧化铅膜的光电流频谱曲线随膜增厚而位移的研究

铅在硫酸溶液中生长的阳极氧化铅膜的光电流频谱曲线随着膜增厚而红移。Dimitrov等认为长波对光电流的贡献随着膜的增厚而增大的程度要较短波的为大,从而导致曲线的位移。我们的研究表明其主要原因为膜中的t-PbO和o-PbO的比例随膜增厚而发生的变化,并非如上所述。本工作求出上述阳极膜中的t-PbO和o-PbO的禁带宽度分别为1.9和2.6eV。

光电效应演示实验方法的探讨

1 引言光电效应演示实验是普物的重要实验,但按紫外线照射锌板的方法难以成功。

N80油套管钢钝化膜的光电化学性能

采用电容测试法研究了N80油套管钢在浓度为0.5 mol/L NaHCO3溶液中形成钝化膜的半导体性能,结合Mott-Schottky方程分析了测试频率,成膜电位和C l-浓度对钝化膜半导体性能的影响。电容测试结果表明,钝化膜呈n型半导体特性,Mott-Schottky曲线的斜率随着测试频率的增加、成膜电位的正移和溶液中氯离子浓度的增加而增加,相应地膜内的施主密度减小。光电化学实验结果表明,光电流强度随成膜电位的正移及成膜时间的延长而增加,这主要归功于高电位和长时间下所成的钝化膜具有比较均匀的组成,光激发所成的空位或电子在膜内的迁移率的增加。

纳秒脉冲激光抽运下的铯蒸气电离度研究

为了研究碱金属蒸气电离对半导体抽运碱金属激光器(DPAL)定标放大的影响,采用适宜于短脉冲激光抽运源的光电流法来测量碱金属蒸气电离度,并开展了铯蒸气电离度同激光抽运功率密度、碱金属池温度、抽运激光器重复频率之间关系的实验研究。结果表明,在不考虑热效应的情况下,即使抽运激光的功率密度高达3×10^(8)W/cm^(2)、碱金属池温度150℃、氦气缓冲气压力9.33×10^(4)Pa条件下,铯蒸气的电离度也仅仅达到1%左右;在碱金属池温度从122℃升高至163℃的过程中,相对于铯蒸气粒子数密度的显著增大,铯蒸气电离度的变化非常小。该研究结果对于铯DPAL通过增加抽运激光功率密度和提高碱金属池温度进行定标放大具有非常积极的意义。

阳极Pb(Ⅱ)氧化物膜的阴极还原

采用X射线衍射、光电流谱、线性电位扫描和开路电位衰退等方法研究了Pb电极在 0 .9V(vs.Hg/Hg2 SO4 ) ,4.5mol/LH2 SO4 溶液中生长 2h所得的阳极Pb(Ⅱ )氧化物膜的阴极还原行为 .实验结果表明 :阳极Pb(Ⅱ )氧化物膜主要由PbO微粒和PbO·PbSO4 微粒组成 ,微粒间液膜可供离子输运 ;在LSV负向扫描过程中 ,阳极Pb(Ⅱ )氧化物膜是按溶解 -沉积机理还原的 ,首先PbO微粒表层借助该微粒间的液膜还原为金属铅 ,而待PbO微粒表面层转化的金属铅与PbO·PbSO4 微粒接触后 ,则PbO·PbSO4 就和PbO一起还原 ,而以PbO·PbSO4 的还原进程略快 .

GaAs/GaAlAs超晶格的Wannier-Stark效应

我们用光电流谱方法在室温和低温下观察了短周期GaAs(35A)/Ga_(0.7)Al_(0.3)A_3(35A)超晶格的Wannier-Stark效应.在中等电场下,观测到了反映等能量间距的“Stark梯”的谱形.并且发观了激子态由于场致局域化导致的由准三维向准二维转变.我们详细地讨论了跃迁强度随电场的变化,与应用夏建白等提出的计算模型得出的结果十分符合,证明了光电流谱中的结构,即使在较低的 10~4V/cm的电场下是由于 Wannier局域化引起,而不可能是鞍点激子引起的.