CdS／CuInSe_2多晶异质结太阳电池的光电流和转换效率的计算和分析

用Ｒｏｔｈｗａｒｆ的晶界复合损失模型对ＣｄＳ／ＣｕＩｎＳｅ２多晶异质结太阳电池的光电流和转换效率进行了计算，并在计算中考虑到异质结内表面复合因子Ｇ和势垒区宽度随电压的变化因素，结果发现Ｐ区受主浓度ＮＡ有一个最佳值。将我们的计算结果和Ｌ．Ｌ．Ｋａｚｍｅｒｓｋｉ等人的实验结果对照，两者基本一致。

非晶硅a-Si PIN的制备及其性能研究

为了提高X-ray非晶硅PIN探测器的光电转换效率,本文研究了本征a-Si(非晶硅)的工艺参数对非晶硅PIN探测器光电转换效率的影响。本研究结果表明:本征a-Si最优的H2:SiH4流量比为12:1,Si-H键归一化(2000)值可达到3.3,所制备的本征a-Si单层膜可满足非晶硅PIN探测器性能设计的要求,在此条件下制备的非晶硅PIN光电流可达到1.39×10-5A,转换效率为67%,可满足X-ray非晶硅PIN平板探测器在在工业、航空及医疗等领域的应用。