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CdS/CuInSe_2多晶异质结太阳电池的光电流和转换效率的计算和分析
1
作者
展铁政
孟昭进
张占山
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第1期50-56,共7页
用Rothwarf的晶界复合损失模型对CdS/CuInSe2多晶异质结太阳电池的光电流和转换效率进行了计算,并在计算中考虑到异质结内表面复合因子G和势垒区宽度随电压的变化因素,结果发现P区受主浓度NA有一个最佳值。将...
用Rothwarf的晶界复合损失模型对CdS/CuInSe2多晶异质结太阳电池的光电流和转换效率进行了计算,并在计算中考虑到异质结内表面复合因子G和势垒区宽度随电压的变化因素,结果发现P区受主浓度NA有一个最佳值。将我们的计算结果和L.L.Kazmerski等人的实验结果对照,两者基本一致。
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关键词
太阳能电池
异质结
光电流转换
原文传递
非晶硅a-Si PIN的制备及其性能研究
2
作者
方兴
李广录
高平羽
《中国科技期刊数据库 工业A》
2021年第12期414-417,共4页
为了提高X-ray非晶硅PIN探测器的光电转换效率,本文研究了本征a-Si(非晶硅)的工艺参数对非晶硅PIN探测器光电转换效率的影响。本研究结果表明:本征a-Si最优的H2:SiH4流量比为12:1,Si-H键归一化(2000)值可达到3.3,所制备的本征a-Si单层...
为了提高X-ray非晶硅PIN探测器的光电转换效率,本文研究了本征a-Si(非晶硅)的工艺参数对非晶硅PIN探测器光电转换效率的影响。本研究结果表明:本征a-Si最优的H2:SiH4流量比为12:1,Si-H键归一化(2000)值可达到3.3,所制备的本征a-Si单层膜可满足非晶硅PIN探测器性能设计的要求,在此条件下制备的非晶硅PIN光电流可达到1.39×10-5A,转换效率为67%,可满足X-ray非晶硅PIN平板探测器在在工业、航空及医疗等领域的应用。
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关键词
X-ray平板探测器
本征非晶硅(a-Si)
PIN
光电流转换
效率
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职称材料
题名
CdS/CuInSe_2多晶异质结太阳电池的光电流和转换效率的计算和分析
1
作者
展铁政
孟昭进
张占山
机构
包头钢铁学院
出处
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第1期50-56,共7页
基金
冶金工业部资助
文摘
用Rothwarf的晶界复合损失模型对CdS/CuInSe2多晶异质结太阳电池的光电流和转换效率进行了计算,并在计算中考虑到异质结内表面复合因子G和势垒区宽度随电压的变化因素,结果发现P区受主浓度NA有一个最佳值。将我们的计算结果和L.L.Kazmerski等人的实验结果对照,两者基本一致。
关键词
太阳能电池
异质结
光电流转换
Keywords
CdS/CuInSe_2 heterfunction solar cell, photoelectric current, convert efficiency.
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
原文传递
题名
非晶硅a-Si PIN的制备及其性能研究
2
作者
方兴
李广录
高平羽
机构
南京中电熊猫液晶显示科技有限公司
出处
《中国科技期刊数据库 工业A》
2021年第12期414-417,共4页
文摘
为了提高X-ray非晶硅PIN探测器的光电转换效率,本文研究了本征a-Si(非晶硅)的工艺参数对非晶硅PIN探测器光电转换效率的影响。本研究结果表明:本征a-Si最优的H2:SiH4流量比为12:1,Si-H键归一化(2000)值可达到3.3,所制备的本征a-Si单层膜可满足非晶硅PIN探测器性能设计的要求,在此条件下制备的非晶硅PIN光电流可达到1.39×10-5A,转换效率为67%,可满足X-ray非晶硅PIN平板探测器在在工业、航空及医疗等领域的应用。
关键词
X-ray平板探测器
本征非晶硅(a-Si)
PIN
光电流转换
效率
分类号
TM912 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
CdS/CuInSe_2多晶异质结太阳电池的光电流和转换效率的计算和分析
展铁政
孟昭进
张占山
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994
0
原文传递
2
非晶硅a-Si PIN的制备及其性能研究
方兴
李广录
高平羽
《中国科技期刊数据库 工业A》
2021
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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