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一种光电混合型专家系统专用机OEHCES 被引量:2
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作者 申铉京 申铉国 《自动化学报》 EI CSCD 北大核心 1993年第6期684-690,共7页
本文基于在传统计算机上难以开发实时高效专家系统的事实,提出了一种比较容易实现的光电混合型专家系统专用机OEHCES.OEHCES主要由主控机、知识库及光匹配器组成,并利用一种改进的知识表示法和光匹配器,部分解决在传统计算机中知识匹配... 本文基于在传统计算机上难以开发实时高效专家系统的事实,提出了一种比较容易实现的光电混合型专家系统专用机OEHCES.OEHCES主要由主控机、知识库及光匹配器组成,并利用一种改进的知识表示法和光匹配器,部分解决在传统计算机中知识匹配速度慢的问题。 展开更多
关键词 专家系统 专用机 光电混合型
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一种基于符号替换的光电混合型计算机 OEHCBSS
2
作者 申铉京 张铁强 《光机情报》 1992年第7期1-3,共3页
关键词 光电混合型 计算机 符号替换
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一种光电混合型微机网开关系统的设计
3
作者 申铉京 千庆姬 赵焱 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 1997年第2期41-43,共3页
本文提出了一种光电混合型微机网开关系统HMCNSS。它是一种星型网的开关系统,由光矩阵向量乘法器、开关控制单元等部分组成。其中光矩阵向量乘法器起着数据多路开关作用,而控制单元进行判优、排队。
关键词 微机网开关系统 光电混合型 设计
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EBCMOS混合型光电探测器研究 被引量:10
4
作者 徐鹏霄 唐光华 +4 位作者 唐家业 杨杰 陈鑫龙 钟伟俊 赵文锦 《光电子技术》 CAS 2016年第4期232-236,252,共6页
介绍了EBCMOS探测器的工作原理、器件结构与发展历史。详细阐述了EBS增益机理,实现了600倍的EBS增益,并将EBCMOS与几种常见探测器特性进行了深入的对比研究。EBCMOS探测器将真空器件与半导体器件有机结合,融合了真空光电探测器增益高、... 介绍了EBCMOS探测器的工作原理、器件结构与发展历史。详细阐述了EBS增益机理,实现了600倍的EBS增益,并将EBCMOS与几种常见探测器特性进行了深入的对比研究。EBCMOS探测器将真空器件与半导体器件有机结合,融合了真空光电探测器增益高、响应速度快、光谱灵活和半导体器件空间分辨率高、数字化输出、功耗低和成本低等优点。目前已在生物检测、微光夜视、激光雷达等诸多领域取得了广泛的应用。 展开更多
关键词 电子轰击互补金属氧化物 混合型光电探测器 光电阴极 电子轰击半导体(EBS)增益 激光雷达
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光学双稳与混沌实验 被引量:3
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作者 孙萍 尤秉信 《物理实验》 北大核心 2010年第9期1-6,共6页
借助自主研制的"液晶光电混合型光学双稳与混沌系统"研究了光学双稳态与混沌运动的一般规律.在有反馈的条件下,对于1个入射光强,存在着2个不同的透射光强,并以滞后迴线形式为特征,即系统呈现双稳态.依然在有反馈的条件下,系... 借助自主研制的"液晶光电混合型光学双稳与混沌系统"研究了光学双稳态与混沌运动的一般规律.在有反馈的条件下,对于1个入射光强,存在着2个不同的透射光强,并以滞后迴线形式为特征,即系统呈现双稳态.依然在有反馈的条件下,系统的运动状态随着延迟时间的增加,由周期振荡、倍周期分岔演化到混沌,而且,混沌对于初始值具有高度敏感性. 展开更多
关键词 双稳态 混沌 液晶 光电混合型 初值敏感性
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光电混合取阈反馈的二维图象联想存储器
6
作者 母国光 王许明 张延炘 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第13期984-986,共3页
联想式信息存储及恢复被认为是并行运算和人脑记忆及识别功能的基础。由于光学运算的快速、大容量、并行和空间互联等特性,自Hopfield于1982年提出联想存储模型后,以神经网络为模型的光学信息处理引起人们的极大兴趣。光学神经网络可以... 联想式信息存储及恢复被认为是并行运算和人脑记忆及识别功能的基础。由于光学运算的快速、大容量、并行和空间互联等特性,自Hopfield于1982年提出联想存储模型后,以神经网络为模型的光学信息处理引起人们的极大兴趣。光学神经网络可以模拟人脑的某些功能,如以部分或形变的数据恢复整体无畸变图象的内容寻址功能等。现行的模型有两种形式: 展开更多
关键词 联想存储器 光电混合型 神经网络
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Enhancement in light output power of LEDs with reflective current blocking layer and backside hybrid reflector 被引量:1
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作者 ZHOU ShengJun FANG Fang +2 位作者 CAO Bin LIU Sheng DING Han 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2013年第6期1544-1549,共6页
A GaN-based light-emitting diode (LED) with reflective current blocking layer (CBL) underneath p-electrode pad and backside hybrid reflector was fabricated and investigated. With a 20 mA injection current, the LED wit... A GaN-based light-emitting diode (LED) with reflective current blocking layer (CBL) underneath p-electrode pad and backside hybrid reflector was fabricated and investigated. With a 20 mA injection current, the LED with SiO2 /ITO/Al reflective CBL deposited on naturally textured p-InGaN/p-GaN surface exhibited a light output power that was 7.6% and 18.5% higher than those of the textured LEDs with SiO2 CBL and without SiO2 CBL, respectively. The LED with backside hybrid reflector exhibited a light output power that was 30% higher than that of LED without the hybrid reflector. The enhancement in light output power is attributed to the improved current spreading performance via the SiO2 CBL, the Al omnidirectional metal reflector to prevent the light absorption by the opaque p-electrode pad, and the backside hybrid reflector to extract bottom-emitting light. 展开更多
关键词 LEDS reflective CBL hybrid reflector
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