电荷耦合器件光电响应特性标定研究

电荷耦合器件(CCD)光电输入输出响应特性是其用于光束远近场能量分布测量的重要参数,介绍一种新的标定方法———小孔衍射方法:即利用小孔衍射图像的零级谱的能量相对分布作为CCD能量的标准参考输入,依据最小二乘拟合准则,根据CCD的灰度输出标定其响应特性。介绍了数据处理方法并完成了校核实验及误差分析。

光电耦合器件闪烁噪声模型

对电应力前后光电耦合器件的闪烁噪声(1/f噪声)进行了实验和理论研究.实验发现,应力前后1/f噪声幅值随偏置电流均有相同的变化规律:在低电流区,1/f噪声幅值与偏置电流成正比,在高电流区,1/f噪声幅值与偏置电流的平方成正比,且应力后1/f噪声幅值增大了约7倍.理论分析表明,小电流时该器件的1/f噪声为扩散1/f噪声,大电流时为复合1/f噪声,应力在器件有源区诱生的陷阱是1/f噪声增大的根本原因.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制,建立了一个光电耦合器件1/f噪声的定量分析模型,实验结果和模型符合良好.

光电耦合器件1/f噪声和g-r噪声的机理研究

对光电耦合器件1/f噪声和gr噪声(产生-复合噪声)的偏置特性及其产生机理进行了实验和理论研究.结果表明在低频段,光电耦合器件的gr噪声通常表现为叠加1/f噪声,且两者均随输入电流的增加呈现先增大后减小的规律.通过测量前级噪声和后级噪声,发现光电耦合器件的gr噪声源为后级光敏三极管.理论分析表明光电耦合器件的1/f噪声主要为表面1/f噪声,gr噪声则源于光敏三极管发射结空间电荷区的深能级对载流子的俘获和发射.

光电耦合器件g-r噪声模型

在宽范围偏置条件下,测量了光电耦合器件的g-r(产生复合)噪声.实验结果表明,随着偏置电流的增加,g-r噪声逐渐向高频移动,其噪声幅值呈现先增加后减小的变化规律.通过测量前级噪声和后级噪声,发现光电耦合器件g-r噪声来源于后级的光敏三极管.基于载流子数涨落机制,建立了一个光电耦合器件g-r噪声的定量分析模型.实验结果和本文模型符合良好.

电荷耦合器件(CCD)应用概述

CCD实质是MOS电容器的新应用,目前国外发展很快,已趋于成熟,应用领域不断扩展。本文主要叙述CCD基本原理及应用概况。

基于独立分量分析的光电耦合器件可靠性时域筛选方法

针对目前光电耦合器件可靠性筛选方法的不足,提出了用独立分量分析(ICA)的方法对噪声信号进行时域分析,并利用ICA中峭度和熵两个参量讨论了各种基本噪声的特性。根据这些特性,应用ICA方法把各基本噪声从噪声信号中分离出来,并给出了时域下器件的可靠性分类规则。

基于小波变换的多光谱光电耦合器件图像仿真

为了仿时间延迟积分光电耦合器件(TDI CCD)输出信号,选取一幅真彩色BMP图像作为源图,通过小波变换将图像放大,放大图灰度化,再将源图分解为红、绿、蓝三色图像,将四幅图进行量化级调整得到有红、绿、蓝、全色四部分组成的仿TDI-CCD图像,较接近TDI-CCD光电转换产生的图像格式。利用仿TDI-CCD图像产生TDI-CCD信号,辅助相机设计和研制,替代CCD在研制阶段进行调试,在CCD到货前就可以进行相机设计,另外还避免了直接用CCD调试遇到的风险。

电荷耦合器件(CCD)

介绍 CCD器件的工作原理。

光锥CCD耦合器件对提高CCD成像分辨率的探讨

成像分辨率是评价CCD成像系统的主要技术指标.提高成像分辨率可以改变CCD的成像性能.本论文以实验的方法验证了倒置光锥CCD耦合器件可提高CCD成像分辨率,同时与正置光锥CCD耦合器件实验结果对比,分别绘制了与非耦合器件的对比传递函数(CTF)曲线,直观地表示出了二者关系,与理论分析结果相吻合.

电荷耦合器件(CCD)在单缝衍射光强分布测量中的应用

通过CCD传感技术把光学量——单缝衍射光强转化为电学模拟量,继而进行模数转换,最后用单片机系统进行数据处理,降低光学量测量的工作强度,获得较高的实验精度,取得较好的实验效果。

光电耦合器件低频噪声特性与可靠性老化研究

在宽的输入偏置电流范围条件下,开展了光电耦合器件低频噪声特性测试与功率老化和高温老化的可靠性试验研究。结果表明,光电耦合器件的低频噪声主要是内部光敏晶体管1/f噪声,并随输入偏置电流的增大呈现先增大后减小的规律,这与器件的工作状态密切相关。功率老化试验后,高输入偏置电流条件下的低频噪声有所增大,这归因于电应力诱发的有源区缺陷。高温老化试验后,整个器件线性工作区条件下的低频噪声都明显增大,说明温度应力能够更多地激发器件内部的缺陷。相对于1/f噪声幅度参量,低频噪声宽带噪声电压参量可以更灵敏准确地进行器件可靠性表征。

宇航用双极器件和光电耦合器位移损伤试验研究

文章针对器件的位移损伤效应,利用质子加速器产生的质子及反应堆中子对化合物器件和硅器件位移损伤进行试验研究,得到了GaAs光电耦合器的电流传输比(CTR)和硅晶体管电流增益hFE的退化率随等效剂量的变化规律。研究结果表明,在质子70 MeV以上高能量范围,对于硅器件适用的位移损伤等效原理对于GaAs化合物器件则不再适用,需要修正。根据试验数据,给出了经验的修正系数。

浅谈光电耦合器CCD和CMOS的区别

文章概述了光电耦合器件的发展历程,并详细的介绍了光电耦合器、什么是CCD器件、什么是CMOS器件。并说明了CCD器件和CMOS器件的区别与联系。

有机光电耦合器件的特性

对有机发光二极管在传感器和光电子器件上应用的可能性进行了初步研究.用有机发光二极管和光敏二极管组成了新型光电耦合器件,实现了电信号的隔离传输.实验表明,这种新型光电耦合器可用于低速模拟信号的线性隔离传输,传送方波信号时有明显失真,目前不适合数字信号传输.

光电耦合器与具有SPI总线的器件在测控系统中的应用

本文主要介绍了使用具有SPI总线的器件在测控系统前向通道中设置接口级光电耦合器 。

面阵CCD电荷耦合器件的特点及原理分析

较为详细地分析了帧转移型、行间转移型和帧—行转移型面阵CCD电荷耦合器件的光电转换原理、电荷转移方式及其优缺点.

光电耦合器件在中高频数字信号传输中应用

对于低频数字信号,光电耦合器件应用起来比较简单,但对于中高频数字信号,会使信号产生畸变。为了尽量不失真地传输信号,需要综合考虑电流、匹配、寄生电容、极间电容等对信号的影响。文中主要介绍了光电耦合器件在信号隔离中的应用情况,以及一些需要注意的问题。

应用高清晰度CCD（电荷耦合器件）技术实现纱线条干质量的精确检测及其数据处理与修正

0引言 众所周知，纱线的质量检测对于纱线的生产乃至整个纺织产业都是至关重要的。纱线质量检验的结果一方面为纱线生产企业提供生产和工艺调控的可靠依据，另一方面为使用单位和贸易企业提供可靠的质量信息，以实行优质优价、按质论价。防止伪劣、残次产品流入市场，维护纺织品生产企业、贸易企业和消费者三个方面的利益。

通信电源用超小型光电耦合器件

近年来,通信电子设备由于Internet普及应用获得了长足发展。这些通信电子设备在实现高功能化的同时,自身不断小型化,而其中内置的板上电源部件（On-boardPower Supply Block）,正逐渐成为其小型化的障碍。在板上电源部件里,光电耦合器件是占居空间较大的器件之一,因而成为板上电源部件进一步小型化的关键。 图1是当今流行的板上电源的示意图。从图中可以看出,光电耦合器件（photo coupler）是板上电源原边和副边的隔离器件,同时肩负反馈和过压/过流保护作用。也就是说,它在以板上电源为首的开关电源里,可把副边输出反馈到原边,以便于调整电源输出。此外,因为过压/过电流需要实现保护,往往需要几个光电耦合器件。一旦大量使用光电耦合器件。