薄层光电晶体的研究

本文报导了在３００～４１０℃下采用ＭＯＣＶＤ技术制备多晶（非晶和微晶）薄层氧化物ＴｉＯ＿２（Ｆｅ＿２Ｏ＿３、ＳｎＯ＿２和Ｉｎ＿２Ｏ＿３·Ｓｎ）膜的结果，这些薄层氧化物的结构、表面形态和光电化学性质采用ｘ－射线衍射、电于显微镜和三电极方法进行描述。实验指出，这些薄层从化物适宜于作为光电极的透明导电涂层和分解水的光催化。

氧化物薄层光电晶体的制备及其透明导电性研究

综合报道采用有机金属化学气相沉积技术研制Ｔｉ，Ｆｅ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｚｎ氧化物光电薄层晶体的结果。给出了通过ＭＯＣＶＤ技术获得透明导电的ＴｉＯ２－ｘ，Ｆｅ２Ｏ３．Ｔｉ，ＳｎＯ２．Ｐ，ＳｎＯ２．Ｓｂ，ＳｎＯ２．Ｆ，Ｉｎ２Ｏ３．Ｓｎ和ＺｎＯ．Ｈ薄层晶体的方法。讨论了这些膜的导电机制。提供了它们在太阳能电池中的应用途径。