二代近贴微光管光电阴极转移热铟封技术

本文主要叙述二代近贴管光电阴极转移热铟封技术，它工艺可靠、技术先进，对提高微光管的总体指标、解决像质差、提高制管成品率等方面都是一种具有广泛实用价值的先进技术。

场助光电阴极研究进展

对场助光电阴极的发展进行回顾,介绍了场助光电阴极的工作原理,系统总结了三种具有代表性的阴极结构,分别是InP/InGaAsP/InP、InP/InGaAs、InGaAs/InAsP/InP光电阴极。InP/InGaAsP/InP双异质结结构是场助光电阴极研究的热点,这种结构大多用于长波阈值达到1.3μm的场助光电阴极;InGaAs异质结结构相对于其他结构具有很高的灵敏度,响应时间快,有利于在条纹变像管中应用;InGaAs/InAsP/InP结构的光电阴极在InP和InGaAs之间提供一层InAsP渐变层,对延长波长阈值非常有利,通过分析不同结构的特点及应用,讨论了场助光电阴极的发展方向以及难点。

其它光电技术及器件

O462.3 97042670转移电子光电阴极电子传输特性的蒙特卡罗模拟=Electron transport properties of transfered electronphotocathode[刊,中]/李相民(北京理工大学光电工程系.北京(100081)),侯洵(中科院西安光机所.陕西,西安(710068))//半导体学报.—1996,17(5).—328-334利用蒙特卡罗模拟方法计算了转移电子光电阴极的光电子输运特性,包括阴极的内部量子效率,电子能量分布函数,谷间转移效率,同时也给出了阴极的时间响应特性。图9参12(方舟)