光电集成技术成为无线通信的热点——访烽火通信科技股份有限公司副总裁李广成

问:您对中国通信集成电路产业的健康发展有何看法和建议?答:目前许多集成电路公司设计研制的电路,在大的功能分类上其实是同一类型,就因为未讲究公用性和通用性,以致于这些集成电路在应用范围。

基于集成光电子技术的通信资源联合分配算法

开展通信资源分配时,通信环境较差会降低通信资源的分配效果,影响用户的上网体验,为此提出了基于集成光电子技术的通信资源联合分配算法。该方法使用集成光电子技术,对通信系统的通信环境实施优化处理,结合通信系统结构,建立通信系统资源分配问题模型,确定资源分配时的相关约束条件;采用模糊聚类方法对定D2D用户分组,选取最佳用户资源;使用博弈论理论建立一种通信用户功率控制策略,联合上述资源选取方法,构建联合通信资源分配算法,精准地实现通信资源的分配。实验结果表明,使用该方法开展通信资源联合分配时,分配效果好、性能高。

光电总体集成技术和光电系统的研发

光电技术是信息化建设和国防科技工业的重要支撑技术 ,在实现装备现代化进程中占据着重要地位。本文论述了光电集成技术的重要性 ,总结了其主要的研究内容 。

面向信号与信息智能处理的光电融合与集成技术(特邀)

传统的信号、信息处理流程相对独立且繁琐,人工智能(AI)技术通过引入"信号变换+信息识别"的处理策略,提升了整体处理的智能化水平。然而,未来应用中信号与信息高度密集,要求更高的系统能效、更灵活的决策能力。文中提出了通过光电融合与集成技术有望实现信号与信息兼容一体的新型处理范式:利用光子与电子技术在电磁尺度、物理性质、实现方法等层面的互补优势,针对信号与信息整体进行直接处理,并且具有融合深层智能技术的潜力。回顾了光电融合形式下的新兴信号与信息处理体制,指出了光电混合集成对光电融合处理技术的重要支撑意义。

新颖光电子集成技术──异质半导体直接键合及其在器件研制中的应用

对十年来光电子集成技术的发展作了简要的回顾。着重介绍了近年来兴起的一种新颖的集成技术─-异质半导体直接键合技术的工艺和特点及其对新型光电子器件发展的推动。

集成光电子技术实验课程科教融合教学模式的应用探索

集成光电子技术在信息处理和传输方面起重要作用,是现代光通信及大规模光电芯片技术发展的重中之重。本论文针对集成光电子技术课程中出现的概念抽象,对学生的创新与实践能力培养不够等问题,提出了在实验课程中引入集成光子器件设计与优化的科教融合教学模式的改革方法。该教学模式通过光波导结构以及微环谐振器、马赫增德尔干涉仪等集成光子器件的设计,使学生能够更加深刻地理解课程内容,初步了解学科的前沿动态,激发学生的学习热情和求知愿望,为其进一步深造或走向社会打下一个良好的技术基础。

光电系统顶层规划与总体设计技术综述

简单介绍了国内光电系统现状,阐述了光电系统的顶层规划和总体设计的主要任务,从项目管理和总体设计两个方面简述了顶层规划和总体设计的主要方法、内容及现实意义,用总体设计的一般原则、基本内容和基本方法与步骤分析了光电系统总体设计思路.展望了光电技术的发展趋势,并提出了较好的建议和措施.

光电集成与器件

TN256 2000031838光纤陀螺用GaAs集成光学芯片=GaAs integratedoptical chips for optical fiber gyroscopes[会,中]/李瑾,杨建义,王明华(浙江大学信息与电子工程学系.浙江,杭州(310027))//全国第九次光纤通信暨第十届集成光学学术会议.—秦皇岛,99.08叙述的光纤陀螺用集成光学芯片采用GaAs材料实现,体积可以更小,并且具有良好的温度特性和抗辐射能力。随着光电子集成技术的发展,利用成熟的半导体工艺可以进一步实现芯片与光源。

国际光电子与微电子技术及应用研讨会

会议网站:http://www.csoe.org.cn/omta2016/2016.10.10-12上海主办单位:中国光学工程学会,中国高科技产业化研究会技术主办:SPIE,IEEE,OSA承办单位:中国光学工程学会,中国宇航学会光电技术专业委员会,微纳光电子集成技术专家委员会大会名誉主席:王阳元院士(北京大学)金国藩院士(清华大学)共主席:褚君浩院士(中科院上海技术物理所)郝跃院士(西安电子科技大学)黄如院士(北京大学)黄维院士(南京工业大学)吕跃广院士(总参54所)王立军院士(中科院长春光机所)余少华院士(武汉邮电科学研究院)

光纤通信高技术及其发展趋向

世界各先进国家正在采用光纤通信高技术来建设现代化通信网的基干部分,这将大大改变未来通信的面貌。本文概述了新一代光纤通信的内容及其发展的趋向。

集成光学器件及应用

TN256 97063793光电子集成技术及其应用=Optoelectronic integrationteehnology and its application[刊,中]/廖先炳(电子部第44研究所.重庆(630060))

光电功能材料

O304.12 2004064458 Si基光电子学的研究与展望=Study and prospect of Sibased optoelectronics[刊,中]/彭英才(河北大学电子信息工程学院.河北,保定(071002)),ZHAO X W…∥量子电子学报.—2004,21(3).—273-285 评论了Si材料技术、纳米技术、微电子技术以及光电子技术为一体的新型交叉学科Si基光电子学,近年来在直接带隙Si基低维材料的设计、晶粒有序Si基纳米材料的制备与稳定高效Si基发光器件的探索等方面所取得的若干重要研究进展,并预测了全Si光电子集成技术的未来发展趋势。图8参62(杨妹清)

光通信器件及芯片发展问题分析

现代信息产业的快速发展极大地推动了光通信领域的发展,随着我国多项信息化工程的实施,如5G商用化、智能电网、广电网络、FTTx光纤接入、三网融合、"宽带中国"等项目,光通信领域因此呈现井喷式地发展,也极大地带动光通信器件及芯片产业的快速发展,但目前我国在这方面仍存在诸多短板,短期内还不能赶上国外先进水平。因此,本文分析了光电子器件及芯片产业在光通信领域的面临的现状及严峻形势,指出我国在该领域亟待解决解决的问题、还分析了光通信器件及芯片产业未来的发展趋势,结果表明,未来光通信器件的主流趋势是PIC光集成技术,而光集成技术的两大领域分别是Ⅲ-Ⅴ族材料和硅基材料,期望通过本文分析能对中国光通信器件及芯片产业的发展方向有所启发^([1])。

与标准Si工艺兼容的光电探测器的研制

提出采用Si基标准工艺进行研制与标准工艺兼容的光敏三极管,重点解决光敏三极管结构与标准工艺兼容性问题,并实现对其结构、性能的优化设计。通过CADENCE软件,画出不同光敏三极管的版图;根据华润上华(CSMC)Si基标准工艺流程,采用器件模拟软件Silvaco,对光敏三极管结构进行构建和仿真;基于理论分析结果,通过设计改变结构优化光敏三极管性能。采用CSMC标准Si工艺,实现了基区面积分别为40μm×40μm、50μm×100μm、80μm×100μm和100μm×100μm光敏三极管的流片、封装和测试。结果显示,所设计的光敏三极管的响应度达到2.02A/W,放大倍数β达到60倍,最大带宽达到50 MHz左右。并且,标准Si工艺的低成本和放大集成电路的兼容性,使得制备的光敏三极管可以广泛适用于快速光耦合器、光数据接收器等应用领域。