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氯化铜溶液中多孔硅光致发光猝灭
1
作者
郭亨群
《华侨大学学报(自然科学版)》
CAS
1995年第2期141-144,共4页
研究氯化铜溶液中多孔硅光致发光猝灭的机制.瞬态光致发光和傅里叶变换红外光谱表明钢-多孔硅界面电子态提供了非辐射复合的途径.
关键词
多孔
硅
光硅发光猝灭
表面
界面
氯化铜
下载PDF
职称材料
题名
氯化铜溶液中多孔硅光致发光猝灭
1
作者
郭亨群
机构
华侨大学电气技术系
出处
《华侨大学学报(自然科学版)》
CAS
1995年第2期141-144,共4页
文摘
研究氯化铜溶液中多孔硅光致发光猝灭的机制.瞬态光致发光和傅里叶变换红外光谱表明钢-多孔硅界面电子态提供了非辐射复合的途径.
关键词
多孔
硅
光硅发光猝灭
表面
界面
氯化铜
Keywords
porous silicon,photoluminescence quenching,surface and interface,copper chloride
分类号
TN204 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氯化铜溶液中多孔硅光致发光猝灭
郭亨群
《华侨大学学报(自然科学版)》
CAS
1995
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