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非晶硅TFT栅界面层氮化硅薄膜性能的研究
被引量:
12
1
作者
谢振宇
龙春平
+1 位作者
邓朝勇
林承武
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期341-345,共5页
采用傅里叶变换红外光谱仪、椭偏仪和YAF-5000M等测试仪器,对薄膜晶体栅界面层的键结构及含量、光学性能、物理性能以及晶体管导电性能进行分析研究。重点讨论了键含量与薄膜禁带宽度和介电常数的关系。结果表明:提高栅界面层N-H键含量...
采用傅里叶变换红外光谱仪、椭偏仪和YAF-5000M等测试仪器,对薄膜晶体栅界面层的键结构及含量、光学性能、物理性能以及晶体管导电性能进行分析研究。重点讨论了键含量与薄膜禁带宽度和介电常数的关系。结果表明:提高栅界面层N-H键含量(或减少Si-H键含量)能提高光禁带宽度和相对介电常数。栅界面层能改善非晶氮化硅薄膜和非晶硅薄膜的界面性能,提高薄膜晶体管的稳定性和场效应迁移率。
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关键词
栅界面层
氮化硅
光禁带宽度
介电常数
导通电流
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职称材料
题名
非晶硅TFT栅界面层氮化硅薄膜性能的研究
被引量:
12
1
作者
谢振宇
龙春平
邓朝勇
林承武
机构
北京京东方光电科技有限公司
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期341-345,共5页
文摘
采用傅里叶变换红外光谱仪、椭偏仪和YAF-5000M等测试仪器,对薄膜晶体栅界面层的键结构及含量、光学性能、物理性能以及晶体管导电性能进行分析研究。重点讨论了键含量与薄膜禁带宽度和介电常数的关系。结果表明:提高栅界面层N-H键含量(或减少Si-H键含量)能提高光禁带宽度和相对介电常数。栅界面层能改善非晶氮化硅薄膜和非晶硅薄膜的界面性能,提高薄膜晶体管的稳定性和场效应迁移率。
关键词
栅界面层
氮化硅
光禁带宽度
介电常数
导通电流
Keywords
Gate interface,A-SiNx:H,Optical band gap,Dielectric constant,On current
分类号
TN305.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
非晶硅TFT栅界面层氮化硅薄膜性能的研究
谢振宇
龙春平
邓朝勇
林承武
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
12
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