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全新三端双向可控硅开关驱动器-光耦合器
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《国外电子元器件》 2004年第4期20-20,共1页
关键词 飞兆半导体公司 微型扁平封装 三端双向可控硅开关驱动器-耦合 相位控制
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光耦合隔离型输入控制(Isolated Digital I/O)在嵌入式单版电脑的应用
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《兵工自动化》 2001年第3期60-60,共1页
关键词 光耦合开关 隔离型输入控制 I/O 嵌入式单版电脑 应用
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光调制技术及器件
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《中国光学》 EI CAS 1996年第2期82-82,共1页
TM564 96021279 Ge<sub>x</sub>Si<sub>1-x</sub>/Si异质结无间距定向耦合光开关模型分析=Modeling analysis of the Ge<sub>x</sub>Si<sub>1-x</sub>/Si heterojunctionzero-gap dire... TM564 96021279 Ge<sub>x</sub>Si<sub>1-x</sub>/Si异质结无间距定向耦合光开关模型分析=Modeling analysis of the Ge<sub>x</sub>Si<sub>1-x</sub>/Si heterojunctionzero-gap directional couplerswitch[刊,中]/赵策洲,刘恩科,李国正(西安交通大学电子工程系。陕西,西安(710049))∥光学学报。一1995,15(2)。—243—247 提出一种简便可行的Ge<sub>x</sub>Si<sub>1-x</sub>异质结无间距定向耦合光开关模型分析方法。该方法采用等离子体色散效应分析了这种光开关的电学调制机理;采用异质结超注原理分析了开关的电学性质;并根据经典单脊形导理论和上述分析,设计了利用双模干涉机制工作的Ge<sub>0.05</sub>Si<sub>0.95</sub> 展开更多
关键词 异质结 无间距定向耦合开关 原理分析 等离子体色散 模型分析 效应分析 结构参数 驻波调制器 分析方法 电学性质
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SOI无间距定向耦合光开关模型分析及设计
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作者 赵策洲 刘恩科 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第12期1324-1328,共5页
提出了一种简便可行的SOI(SiliconOnInsulator)无间距定向耦合光开关(BOA型——BifurcationOptiqueActive)模型分析方法.采用等离子体色故效应分析了这种光开关的电学调制机理;... 提出了一种简便可行的SOI(SiliconOnInsulator)无间距定向耦合光开关(BOA型——BifurcationOptiqueActive)模型分析方法.采用等离子体色故效应分析了这种光开关的电学调制机理;而用pn结大注入效应分析开关的电学性质;并根据大截面单模SOI脊形波导理论和上述分析,设计了利用双模干涉机制工作的这种器件的结构参数和电学参数. 展开更多
关键词 无间距 定向 耦合开关 模型 色散效应
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基于Android手机蓝牙的无线智能控制系统设计 被引量:6
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作者 董世琨 张学典 +1 位作者 常敏 潘丽娜 《信息技术》 2014年第8期22-24,33,共4页
设计了一种基于Android手机蓝牙的无线智能控制系统,通过手机远端操作实现智能控制端设备的通电和断电,从而间接控制电灯、洗衣机等电器。该系统由Atmega16单片机、蓝牙模块、电源电路及光耦合的可控硅开关组成。实际应用表明,该系统较... 设计了一种基于Android手机蓝牙的无线智能控制系统,通过手机远端操作实现智能控制端设备的通电和断电,从而间接控制电灯、洗衣机等电器。该系统由Atmega16单片机、蓝牙模块、电源电路及光耦合的可控硅开关组成。实际应用表明,该系统较好地实现了Android系统和单片机之间的无线蓝牙通信,开关控制精确灵敏。在此基础上,可以增加更为多元化的功能,实现更为人性的家电控制,同时对此类手机蓝牙通信控制家电的开发具有较好的指导作用。 展开更多
关键词 ANDROID手机 光耦合开关 单片机 智能控制 蓝牙
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Design of a Polymer Directional Coupler Electro-Optic Switch with Low Push-Pull Switching Voltage at 1550nm
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作者 郑传涛 马春生 +2 位作者 闫欣 王现银 张大明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期2197-2203,共7页
A polymer directional coupler (DC) electro-optic switch with push-pull electrodes and rib waveguides is designed based on the conformal transforming method, image method, coupled mode theory, and electro-optic modul... A polymer directional coupler (DC) electro-optic switch with push-pull electrodes and rib waveguides is designed based on the conformal transforming method, image method, coupled mode theory, and electro-optic modulation theory. Its structure and principle are described, the design and optimization are performed, and the characteristics are analyzed, including the coupling length, switching voltage, output power, insertion loss, and crosstalk. To realize normal switching function,the fabrication tolerance,wavelength shift, and coupling loss between a single mode fiber (SMF) and the waveguide are discussed. Simulation results show that the coupling length is 3082μm; the push-pull switching voltage is 2.14V;and the insertion loss and crosstalk are less than 1.14 and -30dB,respectively. The proposed analytical technique on waveguides and electrodes is proven to be accurate and computationally efficient when compared with the beam propa- gation method (BPM) and the experimental results. 展开更多
关键词 electro-optic switch push-pull electrodes coupling length switching voltage insertion loss CROSSTALK
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Characteristics of a polymer Mach-Zehnder electrooptic switch using side-coupled series-cascaded M microrings
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作者 李翠婷 郑力华 +2 位作者 郑悦 李传南 郑传涛 《Optoelectronics Letters》 EI 2015年第3期179-183,共5页
Structure and design are proposed for a kind of novel polymer Mach-Zehnder electro-optic(EO)switch using side-coupled M series-cascaded EO microrings.Formulations are proposed to analyze its switching characteristics.... Structure and design are proposed for a kind of novel polymer Mach-Zehnder electro-optic(EO)switch using side-coupled M series-cascaded EO microrings.Formulations are proposed to analyze its switching characteristics.The dependences of the device’s performances on M are thoroughly analyzed and concluded.As the increase of M from 2 to 10,the switching voltages for the 9 devices are as low as 0.84 V,0.82 V,0.52 V,0.5 V,0.37 V,0.36 V,0.29 V,0.28 V and 0.24 V,respectively;whereas the crosstalks under bar state are within-20.79--6.53 d B and those under cross state are within-20.36--5.29 d B.The analysis results indicate that a smaller M is preferred for dropping the insertion loss and crosstalk,and a larger M should be selected to increase the optical bandwidth and minimize the switching energy.Generally,due to low switching voltage,the proposed device shows potential applications in optical networks-on-chip. 展开更多
关键词 CROSSTALK Microprocessor chips Network on CHIP
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