Si衬底上Mg_xZn_(1-x)O薄膜发光特性研究

采用射频磁控溅射(RFMS)法,在Si衬底上生长出具有(002)择优取向的MgxZn1-xO薄膜。透射光谱结果表明,与ZnO相比,MgxZn1-xO薄膜的吸收带边从378 nm蓝移至308 nm,这说明MgxZn1-xO薄膜的带隙随着Mg组分的增加而加宽。扫描电镜(SEM)能谱分析表明,薄膜中的Mg含量比靶源中的高。用不同波长的光激发得到的光致发光(PL)谱显示,在不同波长的光激励下,只出现单色蓝或绿发光峰,其它的发光峰消失,而且随着激发光波长从260 nm、280 nm到300 nm的增加,发光峰位置分别从431 nm、459 nm红移至489 nm,发光强度也显著增强。分析表明,这些发光峰与O空位有关。