纳米晶Ge颗料镶嵌SiO_2复合膜的多峰光致发光及其机理

用射频（RF）共溅射和热退火处理的方法制备了纳米锗颗粒镶嵌SiO2复合薄膜（nc－Ge／SiO2），观察到了多峰的光致发光现象，发现随着激发光波长的增长，多峰发光谱的最强峰向低能方向移动，但是各子峰的位置不发生改变，而且不同样品的发光谱子峰位置非常一致．X射线光电子能谱（XPS）分析显示膜中不存在纳米晶硅成分，表明多峰光致发光与镶嵌在SiO2复合中的纳米锗颗粒有关。

ZnO薄膜的光谱及能级

文章归纳了大量有关ZnO薄膜光致发光的实验结果,并与理论计算的能级图相比较,通过分析得出了以下结论:红光的发射与氧空位(V_o)及锌填隙(Zni)有关;绿光及蓝光的发射除与氧空位(V_o)及锌填隙(Zni)有关外,还与锌空位(V_(Zn))有关。

在量子阱中自组织量子点结构GaN/Al_xGa_(1-x)N的电子能谱

在有效质量近似框架内 ,采用绝热近似 ,计算了在量子阱中GaN/AlxGa1-xN自组织量子点系统的电子结构和光学性质 .计算表明系统的电子能级随量子点受限势的增大而升高 ,随量子点尺寸的增大而降低 ,而且量子阱的宽度和量子点浸润层厚度的增加也会导致能级值有所降低 .说明结构参数会使在阱中的量子点的光致发光峰波长发生相应的蓝移或红移 ,与已知的实验结果一致 .

量子阱中InAs/In_(1-x)Ga_xAs自组织量子点的电子结构

采用有效质量近似和绝热近似 ,计算了量子阱中InAs/In1-xGaxAs自组织量子点 (点在阱中 ,DWELL)的电子结构和光学性质 .结果表明 ,电子能级随受限势的增大而升高 ,并随着量子点的尺寸的增大而降低 ,而且量子阱的宽度和量子点浸润层的厚度增加也会导致能级有所降低 .

SiC／SiO2超晶格的蓝光发射研究

利用RF共溅射的方法，制备了SiC／SiO2多层膜，测量了样品的光致发光(PL)谱和光激发(PLE)谱，并观察到室温下的蓝光发射现象。改变势阱层的厚度，观察430nm的蓝光峰的蓝移现象。我们又进行了光致发光峰(PL)在外加偏压前后情况的测试。样品在加上10伏(电流为0．5mA)偏压后，发光峰有明显的蓝移和加强现象，通过测量PLE谱，认为样品在加偏压后引起自由激子的辐射复合使发光峰发生蓝移。