BaZnOS:Bi^(3+)荧光粉的制备及光学性能研究

以碳酸钡、硫化锌和氧化铋为原料,采用高温固相法合成了一系列铋(Bi)掺杂BaZnOS的蓝绿色荧光粉。研究了BaZnOS中Bi的位点占据、晶胞变化及其发光特性之间的相关性。在BaZnOS中,根据离子配位相同及半径相似原理,Ba位点是Bi最适合和稳定占据的位点。由于Bi^(3+)的半径略小于Ba^(2+)的半径,导致掺杂过后的晶胞参数有所缩小。在波长为372 nm的紫外光激发下,BaZnOS和BaZnOS:Bi^(3+)在400~600 nm处都显示出非常宽的发射带。其中未掺杂的BaZnOS发光归因于合成过程中的氧空位缺陷,掺杂Bi^(3+)后,Bi^(3+)结合到BaZnOS的晶格中,由于Bi^(3+)的^(3)P_(1,0)→^(1)S_(0)跃迁,最终使位于400~600 nm处的光致发光进一步增强2~3倍。通过色坐标计算,所制备的BaZnOS:Bi^(3+)荧光粉色坐标均位于蓝绿色区域,可作为与红光协调发射白光的潜力荧光粉,用于白光发光二极管领域。

玻璃中CdSeS量子点的PLE谱研究

用光致发光激发光 (PLE)谱与光吸收谱和光致发光 (PL)谱相结合 ,对半导体CdSeS量子点的电子能级和电子跃迁发光的弛豫过程进行了深入分析 .PLE谱表明带边激子发光的主要来源是 1S3/2 - 1se和 2S3/2 - 1se能态的电子弛豫 ,而缺陷态发光的来源除了 1S3/2 - 1se和 2S3/2 - 1se能态的电子弛豫外 。

发射蓝光的氧化多孔硅和氧化硅的比较研究

对发射蓝光的多孔硅和氧化硅样品分别作了光致发光谱和光致发光激发光谱的对比研究．结果发现，当氧化温度达到 １１５０℃时，多孔硅中的纳米硅粒完全消失。

半导体量子点光吸收谱线亚结构的PLE谱分析

用半导体量子点的PLE谱分析了光吸收谱的亚结构.用光吸收谱,光致发光谱(PL)和光致发光激发光谱(PLE)对半导体CdSeS量子点玻璃进行了测量.光吸收谱线有明显的量子尺寸效应.PL谱中出现2个发光峰.用PLE谱在光吸收谱的低能侧峰附近探测,发现光吸收谱的低能侧峰附近存在2个峰,其能量间距随着量子点半径的增大而减小,说明了光吸收谱的低能侧峰存在亚结构.证明了PL谱中低能侧峰为缺陷态发光,该峰的PLE谱线说明了该峰的发光来源于1S3/2-1se和2S3/2-1se2能态的电子,甚至更高能态电子的弛豫.

Energy transfer process between Eu^(3+) and wide-band-gap SnO_2 nanocrystals in silica films studied by photoluminescence excitation and time-resolved photoluminescence techniques

Eu3+ions embedded in silica thin films codoped with SnO2 nanocrystals were fabricated by sol–gel and spin-coating methods.SnO2 nanocrystals with controllable sizes were synthesized through precisely controlling the Sn concentrations.The influences of doping and annealing conditions on the photoluminescence intensity from SnO2 nanocrystals are systematically investigated.The effective energy transfer from the defect states of SnO2nanocrystals to nearby Eu3+ions has revealed by the selective photoluminescence excitation spectra.The efficiency of the Forster resonance energy transfer is evaluated by the time-resolved photoluminescence measurements,which is about 29.1%based on the lifetime tests of the SnO2emission.

Valence Band Splitting in Wurtzite InP Nanowires Observed by Photoluminescence and Photoluminescence Excitation Spectroscopy

我们用光致发光，光致发光刺激光谱学和传播电子显微镜学调查了 wurtzite InP 的单个像体积的电线。用二个不同方法，我们发现原子价乐队的顶被切开，理论上期望。这切开原子价乐队对 wurtzite InP 古怪并且不发生在锌闪锌矿 InP。我们发现二个乐队之间的精力差别是 40 兆电子伏。