多孔硅光致发光的非线性光学特性

采用电化学腐蚀法制备多孔硅（ Ｐ Ｓ）， 测量了多孔硅在近红外光（８００ ｎｍ ）激发下的光致发光（ Ｐ Ｌ）谱和光致发光激发（ Ｐ Ｌ Ｅ）谱， 结果表明多孔硅具有良好的上转换荧光特性， 并随着存放时间的延长， 在一定期限内峰值强度有明显的增强。这种非线性光学响应的增强， 被认为与空间量子限制效应作用下局域束缚激子被激发有关， 光致发光谱的多峰结构表明多孔硅中存在多种发光中心。用量子限制／发光中心模型可以解释本实验结果。