椭球形反转核/壳量子点中杂质态的结合能及光致电离截面

利用变分理论和有效质量近似,研究了核为势垒、壳为势阱的椭球形反转核/壳量子点中杂质态结合能及光致电离截面随体系尺寸、椭球率以及杂质位置的变化关系。数值计算结果表明:量子点尺寸和形状对结合能及光致电离截面有着重要的影响,且结合能随量子点尺寸和杂质位置变化呈非单调变化,当壳厚度较小时椭球率的影响明显,且随着椭球率的增大结合能增加;光致电离截面的峰值强度在不同杂质位置、不同椭球率下均随着核尺寸增加而增大,并伴随着峰值位置出现红移或蓝移现象。

GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs量子阱线中类氢杂质的束缚能和光致电离截面(英文)

通过在波函数中考虑量子线的限制方向和非限制方向的相关性 ,计算了 Ga As/ Ga1 - x Alx As量子阱线中类氢杂质的束缚能和光致电离截面 .结果表明光致电离截面的大小受量子线尺寸的影响 ,并且对于相同尺寸的量子线 ,有限深势阱中杂质态的光致电离截面要比无限深势阱中的大 .与他人的结果比较发现 ,所选波函数改进了体系的束缚能 ,并使光致电离截面减小 。

量子线中施主杂质的光致电离截面

本文就几种不同的线宽计算了准一维ＧａＡｓ量子线中施主杂质的光致电离截面。

In_(x)Ga_(1-x)N/ZnSnN_(2)应变核壳球形量子点中杂质态的结合能及光致电离截面

在有效质量近似下,研究了应变核壳球形量子点中杂质态结合能及光致电离截面随核半径、壳半径以及不同杂质位置的变化关系,并与不考虑应变时的结果作了比较。数值计算结果表明:杂质位置d=R_(1)时杂质态结合能随核半径增大呈先减小后增大的趋势,随壳半径增大单调递减;杂质位置d=(R_(1)+R_(2))/2、R_(2)时,杂质态结合能随核半径增大单调递增,但随壳半径增大而单调递减;光致电离截面的峰值强度在不同杂质位置下均随着核半径增加而增大,并伴随着峰值位置出现红移或蓝移现象。此外,应变效应对结合能及光致电离截面的影响显著,并且其影响也明显依赖于杂质位置。

同步辐射软X射线能区Ar原子光致电离截面的研究

利用北京同步辐射装置 3W1B光束线产生的单色光作为光源 ,流气式无窗低压强双电离室作为气体容器 ,选择氩气作为实验气体 ,使用合适的公式和软件 ,实验测定了能量从 180到 2 70eV范围内若干压强点处光致电离截面与能量的关系曲线 .发现在氩原子的L吸收边附近光致电离截面与压强有关 :压强越低 ,截面越大 .实验结果与理论结果进行了对比 ,结果表明 ,在 15 0— 2 0 5eV能量范围 ,理论与实验符合良好 ,但是在氩原子的L吸收边附近由于束线分辨率的原因 ,理论与实验有一定偏差 .