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P型(掺硼)晶硅太阳电池的光衰减机制和技术改进措施
被引量:
4
1
作者
赵玉文
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期409-411,共3页
介绍了近年来对掺硼晶硅(Cz Si和mc Si)太阳电池的光照衰减问题及衰减机制的研究结果。通过光照及退火处理前后少子寿命变化的研究以及光衰减与硼和氧浓度关系的研究,表明引起掺硼晶硅太阳电池光照衰减的主要因素是硼和间隙氧的存在...
介绍了近年来对掺硼晶硅(Cz Si和mc Si)太阳电池的光照衰减问题及衰减机制的研究结果。通过光照及退火处理前后少子寿命变化的研究以及光衰减与硼和氧浓度关系的研究,表明引起掺硼晶硅太阳电池光照衰减的主要因素是硼和间隙氧的存在。同时介绍了减小或避免衰减的技术措施。
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关键词
硅太阳电池
光衰减机制
技术改进
掺硼
间隙氧
退火处理
少子寿命
下载PDF
职称材料
题名
P型(掺硼)晶硅太阳电池的光衰减机制和技术改进措施
被引量:
4
1
作者
赵玉文
机构
北京太阳能研究所
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期409-411,共3页
文摘
介绍了近年来对掺硼晶硅(Cz Si和mc Si)太阳电池的光照衰减问题及衰减机制的研究结果。通过光照及退火处理前后少子寿命变化的研究以及光衰减与硼和氧浓度关系的研究,表明引起掺硼晶硅太阳电池光照衰减的主要因素是硼和间隙氧的存在。同时介绍了减小或避免衰减的技术措施。
关键词
硅太阳电池
光衰减机制
技术改进
掺硼
间隙氧
退火处理
少子寿命
Keywords
Annealing
Boron
Degradation
Doping (additives)
Light
分类号
TM914.41 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
P型(掺硼)晶硅太阳电池的光衰减机制和技术改进措施
赵玉文
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
4
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