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一种新型智能光衰耗器的研制与应用 被引量:1
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作者 罗彬 杨军 +1 位作者 管委玲 徐佳奇 《电子技术与软件工程》 2021年第11期227-228,共2页
本文介绍的新型智能光衰耗器,可以通过自动调节光衰耗器的衰耗量,在一定范围内保证光功率稳定输出,还可以查看运行时光功率输出量大小,不止适用于电力通信系统,这种新型智能光衰耗器还可推广至移动通信、物联网通信、军工通信等任何使... 本文介绍的新型智能光衰耗器,可以通过自动调节光衰耗器的衰耗量,在一定范围内保证光功率稳定输出,还可以查看运行时光功率输出量大小,不止适用于电力通信系统,这种新型智能光衰耗器还可推广至移动通信、物联网通信、军工通信等任何使用光纤通信的场所。 展开更多
关键词 纤通信技术 信号采集装置 光衰耗器 自动调节
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一种新型光波导及其在光衰耗器中的应用 被引量:1
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作者 裴丽 黄燕平 +1 位作者 魏道平 简水生 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 2000年第1期42-44,共3页
本文介绍一种能用于可调谐光衰耗器的新型光波导 ,其包层为金属汞 ,包层长度灵活可变。理论分析和实验均表明 ,这种光波导的光功率衰耗与包层长度成正比 ,在 1.3μm光波长 ,当芯径为 40 0~ 6 2 μm时 ,对应光功率的衰减为 0 .0 4~ 0 .... 本文介绍一种能用于可调谐光衰耗器的新型光波导 ,其包层为金属汞 ,包层长度灵活可变。理论分析和实验均表明 ,这种光波导的光功率衰耗与包层长度成正比 ,在 1.3μm光波长 ,当芯径为 40 0~ 6 2 μm时 ,对应光功率的衰减为 0 .0 4~ 0 .16 d B/ mm,以此光波导为基础的可调谐光衰耗器具有结构简单、性能优越等特点 ,其测量精度可达 0 .0 3d 展开更多
关键词 可调谐光衰耗器 波导 应用
原文传递
光电集成与器件
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《中国光学》 EI CAS 2001年第4期61-63,共3页
TN256 2001042669一种新型光波导及其在光衰耗器中的应用=A new kindof optical waveguide and its application to optical attenuator[刊,中]/裴丽,黄燕平,魏道平,简水生(北方交通大学光波所.北京(100044))//光电子·激光.-2000,1... TN256 2001042669一种新型光波导及其在光衰耗器中的应用=A new kindof optical waveguide and its application to optical attenuator[刊,中]/裴丽,黄燕平,魏道平,简水生(北方交通大学光波所.北京(100044))//光电子·激光.-2000,11(1).-42-44介绍一种能用于可调谐光衰耗器的新型光波导,其包层为金属汞,包层长度灵活可变。理论分析和实验均表明,这种光波导的光功率衰耗与包层长度成正比,在1.3μm光波长,当芯径为400 μm~62μm时。 展开更多
关键词 波导 电子集成 可调谐光衰耗器 开关 功率 倒装焊 弹效应 国家重点实验室 半导体
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A fast SOI-based variable optical attenuator with a p-i-n structure with low polarization dependent loss 被引量:1
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作者 袁配 吴远大 +2 位作者 王玥 安俊明 胡雄伟 《Optoelectronics Letters》 EI 2016年第1期20-22,共3页
According to the plasma dispersion effect of silicon(Si),a silicon-on-insulator(SOI) based variable optical attenuator(VOA) with p-i-n lateral diode structure is demonstrated in this paper.A wire rib waveguide with su... According to the plasma dispersion effect of silicon(Si),a silicon-on-insulator(SOI) based variable optical attenuator(VOA) with p-i-n lateral diode structure is demonstrated in this paper.A wire rib waveguide with sub-micrometer cross section is adopted.The device is only about 2 mm long.The power consumption of the VOA is 76.3 mW(0.67 V,113.9 mA),and due to the carrier absorption,the polarization dependent loss(PDL) is 0.1dB at 20dB attenuation.The raise time of the VOA is 34.5 ns,the fall time is 37 ns,and the response time is 71.5 ns. 展开更多
关键词 Electric attenuators POLARIZATION Silicon on insulator technology
原文传递
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