期刊文献+
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
氢化非晶硅带隙态密度光诱导变化的研究 被引量:1
1
作者 王广民 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期44-47,共4页
报导了与Staebler-Wronski效应相关的氢化非晶硅(α-Si:H)带隙态密度的光诱导变化,结果表明光照将使α-Si:H带隙上半部分态密度的分布发生变化,采用AM1太阳光谱*光照两小时使得导带迁移率边以下0.... 报导了与Staebler-Wronski效应相关的氢化非晶硅(α-Si:H)带隙态密度的光诱导变化,结果表明光照将使α-Si:H带隙上半部分态密度的分布发生变化,采用AM1太阳光谱*光照两小时使得导带迁移率边以下0.7eV处的带隙态密度从4×1016cm-3eV-1,增大到1×1017cm-3eV-1。 展开更多
关键词 氢化非晶硅 带隙态密度 光诱导变化
下载PDF
扩散硅压力传感器失效研究 被引量:1
2
作者 刘炳 林杰锋 《电子产品可靠性与环境试验》 2023年第3期48-55,共8页
扩散硅压力传感器具有精度高、利于小型化和智能化等特点而被广泛使用。针对该类传感器出现的不同失效模式,合理采用X射线检测系统、OBIRCH定位、荧光定位和SEM&EDS等技术,可以快速准确地定位失效位置。列举了芯片破裂、过电击穿、... 扩散硅压力传感器具有精度高、利于小型化和智能化等特点而被广泛使用。针对该类传感器出现的不同失效模式,合理采用X射线检测系统、OBIRCH定位、荧光定位和SEM&EDS等技术,可以快速准确地定位失效位置。列举了芯片破裂、过电击穿、腐蚀迁移和连接不良等典型的失效案例,并介绍了在实际分析过程中如何应用上述定位分析手段,对分析类似失效案例起到了一定的参考作用。 展开更多
关键词 扩散硅压力传感器 失效分析 荧光定位 光诱导电阻变化 X射线
下载PDF
彩虹缺陷的失效验证方法及机理分析 被引量:2
3
作者 龚瑜 黄彩清 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期311-319,共9页
随着集成电路特征尺寸的不断缩小,对晶圆制造工艺提出来更大挑战。彩虹效应是指晶圆局部或边缘处因异物,膜内分层,镀层厚度等原因导致晶粒表面所呈现的变色现象。本文基于模拟开关芯片开展失效分析,在芯片内晶粒局部检测到彩虹效应。并... 随着集成电路特征尺寸的不断缩小,对晶圆制造工艺提出来更大挑战。彩虹效应是指晶圆局部或边缘处因异物,膜内分层,镀层厚度等原因导致晶粒表面所呈现的变色现象。本文基于模拟开关芯片开展失效分析,在芯片内晶粒局部检测到彩虹效应。并通过应用失效验证,电学参数测试,依据EMMI,OBIRCH的漏电流定位结果及电路原理图分析验证了彩虹效应对集成电路的电性能参数的影响。同时,借用FIB,EDS,XPS等物理分析方法,揭示了彩虹效应的失效机理。该案例展示了EMMI,OBIRCH在集成电路内部缺陷无损定位和分析的作用,为边缘缺陷的验证提供技术手段。 展开更多
关键词 彩虹效应 失效定位 集成电路 微光显微镜 光诱导电阻变化
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部