薄层晶体硅双面陷光结构的制备及其性能研究

采用金属辅助硅化学刻蚀法,在薄层晶体硅片前后表面分别制备硅纳米陷光结构,并表征其增强薄层晶体硅对太阳光子吸收的性能.对比研究无表面织构、双面金字塔织构、双面硅纳米织构的薄层晶体硅的漫反射光谱与透射光谱,结果表明,双面硅纳米织构的薄层晶体硅具有卓越的光吸收性能,～70μm厚度的薄层晶体硅片能够吸收93.4%的AM1.5G太阳光子.该研究结果为解决晶硅太阳电池中的光学损失问题提供了一种可供选择的陷光结构.