超约B_4C粉末的直流电弧法制备及扫描电镜研究

以填B4C固体粉末（粒径约1mm）的高纯石墨棒为阳极，以高纯石墨捧为阴极，在He气氛下，用直流电弧法制备出了超细B4C的粉末，扫描电镜（SEM）研究表明，该超细B4C粉末的形状有三种：球及合有空洞的球、树枝状的棒或管、细小的颗粒，这些球及颗粒的粒径分布在数十纳米到数十微米范围内．这为粉碎莫氏硬度为9.28的B4C固体找到了新的、简便、可行的方法．

直流电弧法回收ITO废靶技术研究

本文提出一种新型的ITO废靶回收技术,采用直流电弧法将ITO废靶气化制成纳米ITO粉末,实现废靶的回收。借助XRD(X射线衍射)和TEM(透射电子显微镜)等技术对粉末进行表征,发现经回收制备的ITO粉末为单一的立方In2O3结构,颗粒多以四方和类球形两种形貌存在,粒度尺寸在5-200nm范围内。

高纯REO中非稀土杂质的光谱分析

高纯稀土氧化物（REO）中非稀土杂质的光谱分析（Y2O3中非稀土杂质的测定作者已在本刊介绍过）可归纳为二大类:1.直接光谱法,包括全燃烧法、载体分馏法和ICP-AES 法;2.化学光谱法,包括选择沉淀和吸附,溶剂萃取和离子交换法。

钼酸铵中硅检测现状研究

在钼酸铵生产过程中,硅作为杂质元素存在于产品中,对钼产品的后续加工产生重大影响。目前对钼酸铵中硅的检测方法有钼蓝光度法、光谱法(直流电弧粉末法)、ICP-OES法、ICP-MS法、GD-MS法、石墨炉法。本文综述了以上几种检测方法,分析了其优缺点,展望钼酸铵中硅检测技术的发展前景。