光谱蓝移或红移的工程可行性分析

对于小样品来说,将峰值波长移出大气红外窗口是可行的;但对于中、大型军用平台来说,改变其峰值波长可能因为得不偿失而不具有工程上的可行性。红外隐身的实质问题之一是绝热控制和处理。当温差较大时,单一的红外涂料很难取得较好的绝热效果。

红外物理中热辐射体的光谱“蓝移”及与之有关的问题(下)

对红外物理、红外技术中传统的“灰体”概念提出新的看法，发现全发射率εｈ＜１的实际发热体的热辐射，其光谱分布相对于绝对黑体，必定要向短波方向移动，亦即有“蓝移”的出现。对所提出的论断，已从多种途径作了物理和数学上的论证。最后，还对红外技术中与此有关的一些问题，提出建议与评述。

关于热辐射体光谱“蓝移”问题的讨论

用克希霍夫定律 ,认真分析了光谱“蓝移”问题 ,我们认为 ,一般的热辐射体都是选择性辐射体 ,其光谱分布较黑体必然有“蓝移”及“红移”现象 ,并举出两个实例讲座了这一问题。

再论热辐射体光谱“蓝移”及“红移”

大多数的热辐射体都是选择性辐射体。现在却被当灰体处理,其光谱分布较灰体必然有“蓝移”和“红移”的现象。给出了金属钨作为选择性辐射体及灰体的辐射公式,并进行了比较。

热辐射光谱“蓝移”问题的商榷

对《红外物理中热辐射体的光谱“蓝移”及与之有关的问题》一文从实验及物理概念两方面提出质疑。

热辐射体光谱“蓝移”或“红移”若干问题的商榷

对"蓝移"或"红移",有人有误解,本文对二例质疑者,提出了商榷意见。维恩定律,斯蒂芬-玻尔兹曼定律是一组公式中的特例,为此,对这一组公式进行征名!

关于热辐射体光谱“蓝移”及“红移”问题的讨论

自然界很少有严格意义下的黑体及灰体,一般的热辐射体都是选择性辐射体,其光谱分布较黑体必然有光谱“蓝移”及“红移”的问题。本文举实例,讨论了这一问题。

光子晶体光纤中超连续谱产生的蓝移光谱分析

以理论和实验相结合的方法对光子晶体光纤中超连续谱产生的蓝移光谱进行了研究.实验研究了超连续谱蓝移光谱随入射激光的功率的变化,着重分析了光谱在短波方向展宽的机制.结果表明:在入射激光功率较低的情况下,利用包含色散、自相位调制、自变陡及脉冲内拉曼散射效应的非线性薛定谔方程可以准确地分析光谱的展宽情况,理论和实验结果一致;但是,当功率较高时,光谱展宽的蓝移部分理论和实验结果出现差别.因此,在理论和实验的基础上讨论了四波混频及交叉相位调制效应对超连续谱产生的影响,从而为超连续谱在短波方向的展宽提供了很好的实验和理论依据.

罗丹明6G/MCM-41纳米复合物的发光蓝移

介孔分子筛MCM-41具有规则排列的纳米量级的孔道,可以作为宿主封装其他材料。利用这一性质,将激光染料罗丹明6G分子封装在介孔分子筛MCM-41中形成了纳米复合物。用透射电镜、小角度X射线衍射和荧光光谱等方法对纳米复合物的性质进行了分析。用波长为480nm的光对纳米复合物进行激发,得到的发光峰为531nm。与无限稀罗丹明6G乙醇溶液的发光峰相比,这一发光峰有15nm的蓝移和明显的宽化。我们认为当罗丹明6G分子封装在MCM-41的介孔中时,罗丹明6G分子与介孔分子筛孔道表面分子之间存在较强的相互作用(包括氢键、静电吸引等),导致电子云被局域在具有较强吸引力的分子筛表面原子周围,引起激发态能量升高,发光峰蓝移。

Y_2SiO_5:Eu^(3+)纳米荧光粉的光谱特性研究

用凝胶燃烧法制备Y2SiO5:Eu3+纳米荧光粉.X射线衍射实验发现,在1 100℃以下烧结得到X1型物相,属单斜晶系,空间群为P21/c;在1 300℃以上烧结得到X2型物相,属单斜晶系,空间群为C2/c.研究了各样品的红外光谱,发现同物相的校正面积和校正高度随颗粒增大而增大,在物相转型时发生突变,X2型吸收峰位发生蓝移;研究了室温下样品在395 nm紫外光激发下得到的发射光谱,发现纳米荧光粉的5D0→7F0峰相比体材料发生蓝移,5D0→7F2峰相比于体材料中心位置变化不大,而谱带明显加宽.随着烧结温度降低,荧光粉颗粒减小,5D0→7F2的跃迁峰强度回落,但5D0→7F1与5D0→7F4的跃迁峰强度变化不大.Eu3+在Y2SiO5基质中占有两个不同的格位,不同的能级产生两套光谱致使峰数比退简并的峰数多.

电子给受体复合物中电荷转移吸收光谱和溶剂效应

用MP2 / 6 3 1G 方法研究了二氯甲烷溶剂分子与电子给体、受体以及电子给受体复合物间的相互作用 ,结果表明 ,二氯甲烷与电子受体和电子给受体复合物间有弱氢键相互作用 .利用CIS/ 6 3 1++G 方法研究了溶剂与溶质分子间形成氢键对激发态的影响 .自然键电荷分析表明 ,电子给受体复合物的S0 →S1跃迁导致一个电子从电子给体转移到受体 .结合非平衡溶剂化处理和自洽反应场方法研究了溶剂分子与复合物间形成氢键时的电荷转移吸收光谱 .

超短脉冲拉盖尔–高斯光束通过圆环后的光谱异常

本文对超短脉冲拉盖尔–高斯脉冲光束通过圆环光阑后在远场的光谱移动和光谱开关以及临界衍射角附近的功率谱变化规律进行了研究。结果表明:在临界衍射角附近超短脉冲拉盖尔–高斯光束光谱分裂成两等峰值,即产生了光谱开关效应;随着脉冲宽度的增加,两等峰值之间的角频率间隔减小,光谱开关产生的位置向轴靠近,相对光谱移动减小;而随着圆环孔径的增大,光谱开关产生的位置发生变化,但相对光谱移动基本保持不变。

MgZnO和ZnO晶体薄膜紫外发光特性比较

用电子束蒸发反应沉积在Si(111)衬底上低温生长了立方MgZnO薄膜和高度C -轴取向的ZnO薄膜 .X 射线光电子能谱 (XPS)结果表明 ,立方MgZnO薄膜中的Mg含量比靶源中的高 .紫外光致荧光谱 (UVPL)测试显示 ,与ZnO相比MgZnO的荧光峰从 393nm蓝移至 373nm ,这可能与MgZnO的带隙变宽有关 .对ZnO薄膜的研究还发现 ,生长过程中充O2 与否对ZnO发光特性的影响显著 ,不充O2 时样品的紫外荧光峰较之充O2

多孔硅/多孔氧化铝与PVK复合光致发光特性

用旋徐法实现了多孔硅、多孔氧化铝与聚乙烯咔唑(PVK)的复合,研究了多孔硅/PVK、多孔氧化铝/PVK复合体系的光致发光性能。PL谱的测试发现,多孔硅/PVK复合体系的PL谱同时具有多孔硅和PVK的发射峰。此外,在485 um的位置出现了一个新峰,讨论了这个峰的来源。而多孔氧化铝与PVK复合后,没有产生新的峰。但多孔氧化铝与PVK复合后,由于多孔氧化铝纳米孔的纳米限制效应使PVK的发光峰出现大幅度蓝移。从多孔硅与多孔氧化铝发光机制的不同出发,讨论了多孔硅、多孔氧化铝与PVK复合后产生不同结果的原因。

溶剂效应对发光聚合物性能的影响

以共轭聚合物MEH PPV和DD PPV为研究对象,利用UV Vis吸收光谱和荧光光谱,研究了它们在不同溶剂中及固体膜状态下的发光性质,探索了聚合物的微观结构与其发光性能之间的关系。结果表明,由于聚合物在固体膜状态下较溶液状态有紧密的排列,因此其UV Vis吸收光谱和荧光光谱与溶液相比发生了较大的红移;相同主链的聚合物,侧链取代基的电负性减弱,可使UV Vis吸收光谱和荧光光谱发生蓝移;在混合溶剂中,由于每种溶剂对聚合物的溶解能力不同,而使两种构象共存于溶液中,因此在不同配比的混合溶剂中,聚合物的吸收光谱发生相应的变化。

ZnS∶Cu粉末交流电致发光器件特性研究

以商用ZnS∶Cu交流电致发光粉作为发光层,以ITO作为电极制作了粉末交流电致发光器件。以交流脉冲方波为驱动电压,详细研究了外加电压的幅值,频率以及脉宽对其发光频谱及亮度的影响。实验结果表明当电压小于200 V,发光亮度随着电压的升高而缓慢增强,当电压大于200 V,随着电压的升高亮度准线性增强。随着驱动频率的增大,发光光谱的中心波长发生蓝移,从100 Hz时的504 nm(绿光)到100 kHz时的450 nm(蓝光),发光亮度随频率增加先快速增强然后逐渐趋于饱和,达到一个极值后开始减小。随着脉宽的增大,发光亮度线性增强。另外文章中对驱动频率影响发光光谱的原因进行了深入分析,这对进一步研究ZnS∶Cu交流电致发光粉的发光机理有着重要的作用。

新有机材料的电致发光的研究

采用新合成的有机材料 硅烷衍生物作为发光物质制备了发蓝、绿光的薄膜电致发光器件。其结构为glass/ITO/PVK +SiH/Alq/Mg∶Ag。分别测量了SCS SiH ,聚乙烯咔唑 (PVK)薄膜的光致发光光谱以及器件的电致发光光谱。其中SCS SiH薄膜的光致发光谱峰位置在 4 96nm ,有机器件的电致发光光谱的峰值为50 0nm。随着驱动电压的增加发光谱峰蓝移 ,其变化范围为 2 5nm。在电流密度为 89mA/cm2 下器件的发光亮度可达 81 0cd/m2 。

聚合膜/无机膜异质结电致发光机理研究

针对聚合物电致发光材料缺乏可用的电子型聚合物半导体材料的现状 ,采用无机电子型半导体材料 Zn O∶Zn与空穴型聚合物材料 PDDOPV[poly(2 ,5 - bis(dodecyloxy) - phenylenevinylene) ]成功制备了结构为 ITO/PDDOPV/Zn O∶ Zn/Al的异质结双层器件。异质结器件的发光效率与单层器件 P的发光效率的比值在电压为 8V时达到最高值38.6倍 ,此时异质结器件的亮度是器件 P的 19.4倍 ,异质结的电流是单层器件的 0 .5倍。结果表明 ,Zn O∶ Zn薄膜的插入 ,确实能够起到输运电子和阻挡空穴从而降低器件电流水平 ,提高器件发光效率的作用。而且 ,聚合物膜 /无机膜异质结器件的发光颜色是随着电压的增加而蓝移的。研究认为有可能是形成了新的发光基团。

多孔硅中组装SrAl_2O_4:Eu^(2+),Dy^(3+)的发光现象

用溶胶-凝胶法制备符合SrAl2O4:Eu3+,Dy3+化学组成的溶胶,通过水热反应组装后还原的多孔硅主客体材料的荧光光谱发生显著蓝移,并出现一个新的400～450nm的余辉发射峰,分析其原因主要是发光材料进入了多孔硅的纳米孔洞,二价铕离子周围的环境变化和发光材料受到了量子尺寸效应产生的.

姜黄素在丙烯酰胺聚合物中的发光特性研究

以丙烯酰胺为功能单体、乙二醇二甲基丙烯酸酯为交联剂 ,在聚合之前的溶液体系中均匀混入荧光分子姜黄素 ,制备了具有光致发光性能的块状聚合物 ,并将此聚合物粉碎为 4 0～ 75 μm直径的粉末。姜黄素在此聚合物中与其在乙醇溶液中相比 ,其荧光发射光谱有明显的蓝移现象。用同样方法制备的含有罗丹明 6G、四碘荧光素、荧光桃红的丙烯酰胺聚合物也有类似的现象 。