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氮化物半导体GaN的光辅助湿法腐蚀 被引量：4
1
作者 章蓓 黄其煜 +2 位作者 周大勇 戴伦 张国义 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第9期698-701,共4页
本工作报道了一种光辅助湿法腐蚀半导体氮化物ＧａＮ的新方法．这一腐蚀技术具有简单，易控制和低损伤等优点．采用２００Ｗ汞灯辐照和ＮａＯＨ溶液腐蚀可得到几百纳米／分的腐蚀速率．
关键词 氮化镓 光辅助湿法腐蚀 腐蚀方法
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