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一种新的失效分析技术——光辐射检测技术
被引量:
1
1
作者
恩云飞
《电子产品可靠性与环境试验》
1996年第4期45-49,共5页
光辐射检测技术是一种新的失效分析技术,它能确定器件失效部位、区分失效机理,还可以进行光谱分析.这项技术可用来研究器件的PN结退化、寄生晶体管效应、热电子退化、I/O保护电路中的ESD效应、介质层漏电和击穿退化、金属化系统退化等,...
光辐射检测技术是一种新的失效分析技术,它能确定器件失效部位、区分失效机理,还可以进行光谱分析.这项技术可用来研究器件的PN结退化、寄生晶体管效应、热电子退化、I/O保护电路中的ESD效应、介质层漏电和击穿退化、金属化系统退化等,具有灵敏度高、非接触、非破坏的特点.本文对光辐射检测技术及其在器件失效分析方面的应用情况作了一个全面的介绍.
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关键词
光辐射显微镜
VLSI器件
失效分析
可靠性
下载PDF
职称材料
题名
一种新的失效分析技术——光辐射检测技术
被引量:
1
1
作者
恩云飞
机构
电子部五所分析中心
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
1996年第4期45-49,共5页
文摘
光辐射检测技术是一种新的失效分析技术,它能确定器件失效部位、区分失效机理,还可以进行光谱分析.这项技术可用来研究器件的PN结退化、寄生晶体管效应、热电子退化、I/O保护电路中的ESD效应、介质层漏电和击穿退化、金属化系统退化等,具有灵敏度高、非接触、非破坏的特点.本文对光辐射检测技术及其在器件失效分析方面的应用情况作了一个全面的介绍.
关键词
光辐射显微镜
VLSI器件
失效分析
可靠性
分类号
TN470.6 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
一种新的失效分析技术——光辐射检测技术
恩云飞
《电子产品可靠性与环境试验》
1996
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