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ZnS/CdS单带差超晶格薄膜的制备及光学性质研究
被引量:
3
1
作者
黄杨
黎兵
+5 位作者
王洪浩
颜璞
李愿杰
刘才
孟奕峰
冯良桓
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期643-644,649,共3页
为了提高CdTe太阳电池的效率,ZnS/CdS单带差超晶格被创新性地提出。用射频磁控溅射法制备了ZnS/CdS单带差超晶格薄膜,用SEM观察样品截面,分层清晰;测试了ZnS/CdS单带差超晶格薄膜的透过谱图,在300~800nm波长范围内存在4个明显...
为了提高CdTe太阳电池的效率,ZnS/CdS单带差超晶格被创新性地提出。用射频磁控溅射法制备了ZnS/CdS单带差超晶格薄膜,用SEM观察样品截面,分层清晰;测试了ZnS/CdS单带差超晶格薄膜的透过谱图,在300~800nm波长范围内存在4个明显的透过峰。相较于CdS单层膜与ZnS单层膜,ZnS/CdS单带差超晶格薄膜在可见光短波部分的光谱响应十分明显,说明ZnS/CdS单带差超晶格薄膜的电子能带与光子吸收方式发生了明显的变化。理论上可以提高CdTe太阳电池的效率。
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关键词
ZnS/CdS单带差超晶格
磁控溅射
光透过性质
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职称材料
题名
ZnS/CdS单带差超晶格薄膜的制备及光学性质研究
被引量:
3
1
作者
黄杨
黎兵
王洪浩
颜璞
李愿杰
刘才
孟奕峰
冯良桓
机构
四川大学材料科学与工程学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期643-644,649,共3页
基金
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2003AA513010)
国家自然科学基金资助项目(60506004)
文摘
为了提高CdTe太阳电池的效率,ZnS/CdS单带差超晶格被创新性地提出。用射频磁控溅射法制备了ZnS/CdS单带差超晶格薄膜,用SEM观察样品截面,分层清晰;测试了ZnS/CdS单带差超晶格薄膜的透过谱图,在300~800nm波长范围内存在4个明显的透过峰。相较于CdS单层膜与ZnS单层膜,ZnS/CdS单带差超晶格薄膜在可见光短波部分的光谱响应十分明显,说明ZnS/CdS单带差超晶格薄膜的电子能带与光子吸收方式发生了明显的变化。理论上可以提高CdTe太阳电池的效率。
关键词
ZnS/CdS单带差超晶格
磁控溅射
光透过性质
Keywords
ZnS/CdS single offset superlattiee
magnetron sputtering
transmittance property
分类号
O614.24 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ZnS/CdS单带差超晶格薄膜的制备及光学性质研究
黄杨
黎兵
王洪浩
颜璞
李愿杰
刘才
孟奕峰
冯良桓
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
3
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职称材料
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