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ZnS/CdS单带差超晶格薄膜的制备及光学性质研究 被引量:3
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作者 黄杨 黎兵 +5 位作者 王洪浩 颜璞 李愿杰 刘才 孟奕峰 冯良桓 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期643-644,649,共3页
为了提高CdTe太阳电池的效率,ZnS/CdS单带差超晶格被创新性地提出。用射频磁控溅射法制备了ZnS/CdS单带差超晶格薄膜,用SEM观察样品截面,分层清晰;测试了ZnS/CdS单带差超晶格薄膜的透过谱图,在300~800nm波长范围内存在4个明显... 为了提高CdTe太阳电池的效率,ZnS/CdS单带差超晶格被创新性地提出。用射频磁控溅射法制备了ZnS/CdS单带差超晶格薄膜,用SEM观察样品截面,分层清晰;测试了ZnS/CdS单带差超晶格薄膜的透过谱图,在300~800nm波长范围内存在4个明显的透过峰。相较于CdS单层膜与ZnS单层膜,ZnS/CdS单带差超晶格薄膜在可见光短波部分的光谱响应十分明显,说明ZnS/CdS单带差超晶格薄膜的电子能带与光子吸收方式发生了明显的变化。理论上可以提高CdTe太阳电池的效率。 展开更多
关键词 ZnS/CdS单带差超晶格 磁控溅射 光透过性质
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