双面沟槽型^(6)LiF/α-Al_(2)O_(3):C光释光中子探测器研制与性能研究

中子个人剂量监测对核电厂、核动力装置、研究堆和高能加速器等核设施工作人员具有重要意义。光释光技术具有读出速度快和多次重复读取等优点,是中子个人剂量监测的重要发展方向。本文设计了一种双面沟槽型^(6)LiF/α-Al_(2)O_(3):C光释光中子探测器(DS-TSOSLND),采用蒙特卡罗程序Geant4计算分析了不同沟槽宽度、深度和沟槽比对探测器性能的影响规律,探索其中子探测机理。基于Geant4模拟计算结果,结合目前α-Al_(2)O_(3):C晶体微结构加工工艺条件,成功制备了DS-TSOSLND。^(137)Cs源和重水慢化^(252)Cf中子源测试结果表明,新研制的DS-TSOSLND中子探测阈为10.3μSv,0.05~20 mSv内其中子剂量响应呈线性关系,在中子个人剂量监测领域具有广阔的应用前景。