应用光面规定量检测石油管螺纹紧密距可行性的研究

光面紧密距是用来检测螺纹紧密距大小的,但在API标准中却没有这一概念,因此在实践中通过摸索,论证一下光面规检测的定量性问题,并寻找这一定量的关系式,对指导实践是大有益处的。

光面大环规特定方向上中截面的直径测量方法

环规也叫校正环规,是用于校正量具的不足的一种具有特定尺寸及属性的圆环。光面环规是机械加工中常用的量具,但是某些大尺寸的环规,特定方向上中截面的直径在测长机上用常规方法是很难测量的。本文提出了一种基于三坐标的光面大环规刻线方向上直径的测量方法:首先、在三坐标测量机上建立被测环规的坐标系,只取环规刻线方向中截面的两点,即两点间的距离就是直径;其次、用上述方法测量与被测环规尺寸相近的标准环规(或量块);最后、通过软件计算修正得出被测环规的真实数据。经实验数据比较,该测量方法准确、可靠。

光面环规特定方向上的直径测量方法

光面环规是机械加工中常用的量具,但某些大尺寸环规,由于尺寸及重量原因,在测长仪上用常规方法检测其特定方向上的直径有一定难度。因此,本文提出了一种基于三坐标的光面环规刻线方向上直径的测量方法:首先,在三坐标测量机上建立被测环规的坐标系,在两刻线方向4度范围内进行多次反复采点,由所采点构造出拟合圆,圆直径即为所求值。其次,用上述方法测量与被测环规尺寸相近的标准环规(或量块),最后,通过计算、修正得出被测环规直径的真实数据。本文主要对该方法进行验证和分析。

一种基于单球测量的光面环规测量方法

本文介绍了一种光面环规的单球测量法的基本原理和操作方法,这种方法的特点是简单方便,精度高,误差小,相对于万能工具显微镜在测量光面环规时有着明显的优越性。

温度条件在光面环规直径测量中的影响

通过对环规直径测量不确定度的评定,计算由于温度条件引起的不确定度分量,探讨改进温度条件的途径,分析提高环规直径测量准确度的方法。

分析温度条件在光面环规直径测量中的影响

在环规直径测量中,具有很多的不确定度,会对测量结果造成一定的影响。针对这种情况,文章通过对环规直径测量中不确定度的评定,分析了温度条件在光面环规直径测量中的影响,并对改进温度条件,提升测量精准度的方法进行了阐述和探讨。

基于三坐标的光面环规特定方向上的直径测量方法

光面环规是机械加工中常用的量具,但某些大尺寸环规,尤其是其特定方向上的直径难以在测长仪上用常规方法检测。本文提出了一种基于三坐标的光面环规刻线方向上直径的测量方法:首先,在三坐标测量机上建立被测环规的坐标系,只取环规刻线方向的两点,两点距离即为直径,其次,用上述方法测量与被测环规尺寸相近的标准环规(或量块),最后,通过软件计算修正得出被测环规的真实数据。经实验数据比较,该测量方法准确、可靠。

Achievement of a near-perfect smooth silicon surface

During the ultra large scale integration （ULSI） process, the surface roughness of the polished silicon wafer plays an important role in the quality and rate of production of devices. In this work, the effects of oxidizer, surfactant, polyurethane pad and slurry additives on the surface roughness and topography of chemical-mechanical planarization （CMP） for silicon have been investigated. A standard atomic force microscopy （AFM） test method for the atomic scale smooth surface was proposed and used to measure the polished silicon surfaces. Finally, compared with the theoretical calculated Ra value of 0.0276 rim, a near-perfect silicon surface with the surface roughness at an atomic scale （0.5 4） was achieved based on an optimized CMP process.