一种高介质耐电压的光MOS继电器的设计

本文介绍了一种高介质耐电压的陶瓷密封光MOS固体继电器的设计技术,着重阐述了一种介质耐电压为4000Vr.m.s的陶瓷密封光MOS固体继电器设计方案,对我国高介质耐电压陶瓷密封型光MOS固体继电器相关方面具有一定的指导意义。

光MOS继电器在正负高压电源极性切换中的应用

光MOS继电器是一种新型的固体继电器。讨论了应用光MOS继电器的开关特性,实现高压电源输出极性的快速切换,从而设计可靠的双极性小功率高压电源。介绍了光MOS继电器的结构、工作原理和作为高压开关应用的选型原则,讨论了光MOS继电器用于高压极性切换开关的两种实现方法,给出了在单逆变电路架构中应用光MOS继电器实现双极性高压输出的完善的应用电路。最后应用光MOS继电器、SG3525控制器等元件设计了一款应用于离子迁移谱仪器的双极性高压电源。

一种新颖的半导体继电器:PD型光MOS继电器

光MOS继电器是一种半导体继电器(SSR),它分别用LED替代机械式继电器的线圈,用功率MOS场效应管替代继电器的触点。也就是说,它是一种将LED与光电元件进行光电耦合,并用光电元件产生的光生电压使输出端的功率MOS场效应管工作的器件。 本文主要介绍一种薄型封装(3.7mm/3.9mm),容量为2A的PD型光MOS继电器。 器件特点与原理 以往的普通型半导体继电器由于在输出端使用了双极型晶体管或者三端双向可控硅元件,因此它会产生偏旨电压。

光MOS固体继电器平行缝焊的工艺研究

本文介绍了光MOS固体继电器的封装结构和平行缝焊对其零部件的工艺要求,着重介绍了平行缝焊的原理及平行缝焊工艺,对于在平行缝焊中存在的问题也进行了分析并提出了相应的解决措施。

光MOS固体继电器抗电离辐射研究

分析了光MOS固体继电器在电离辐照条件下的失效模式,并针对组成器件的不同元器件提出了抗辐射的设计方案。采取了包括优化材料、合理设计器件结层厚度、选用抗辐射能力强的钝化膜等工艺技术制作样品,并通过试验对比确认了抗辐射方案的有效性,结果表明,器件抗辐照能力大于30krad(Si),能够满足对星用光MOS固体继电器抗辐射能力的要求。

光MOS继电器的应用

继电器的发展继电器是一种能自动通、断的控制器件，广泛应用于自动控制、遥控遥测、通信、计算机、家电等各个领域，发挥控制、保护、调节和传递信息等作用。估计当今世界共约生产３０多亿只继电器，产值２０多亿美元，保持着稳定增长的态势。表１三类继电器的比较电磁继...

光MOS继电器的交流特性

一、光MOS继电器的特点光MOS继电器的内部结构如图1所示。由图可知光MOS继电器的内部结构与一般的光耦合器件非常相似。其外部开关与封装也与一般的光耦合器件一模一样(照片1)。由发光二极管发射的光经太阳能电池转换成电压,构成MOS场效应管的栅极偏置电压,控制MOS场效应管的通断。输出端用两个MOS场效应管串联连接,可以控制交流信号的通断。与机械触点式继电器相比。

硅基片上光互连电路设计

根据摩尔定律,芯片的集成度不断提高,传统的片上互连技术由于受到电互连物理特性的限制,其传输延迟、带宽密度和功耗等关键性能指标很难有质地提升,成为制约片上互连性能进一步提升的瓶颈。相比之下,光互连信号传输具有损耗低、速度快、延迟低、带宽密度高的优势。因此,光互连技术在片上系统的应用中具有潜在优势。文章采用MOS管发光器件实现硅基光互连系统单片集成。由于硅光源在光互连中扮演着重要角色,所以本文对硅基发光做了重点研究,并对过去几年硅光源研究成果进行回顾。基于前人的研究成果,我们设计了MOS管发光器件,并对该器件的电学特性和光学特性进行了仿真和分析,基于这些结果,然后对硅基片上光互连进行初步的设计,有望在未来光互连中发挥重要作用。

可自检的程控开关矩阵设计

本文介绍一种具有自检功能的程控开关矩阵 ,它是由单版机、光MOS继电器等组成的 ,可实现插件板每个引脚上多个信号的程控切换 ,具有硬件简单、编程方便、抗干扰能力强、性价比高等特点。使用表明 ,提出的设计方案是切实可行的。

多个信号的程控切换法

介绍由单片机AT89C5 1、光MOS继电器AQW2 15等组成的多个信号的程控切换方法。

世界继电器近期热点聚焦

简要介绍了世界继电器市场现状,较全面阐述分析了世界继电器市场近期出现的热点和技术趋势, 并就热点给出了个人见解。

一种副边切换的电池组均衡系统研究

提出了一套低成本的锂电池管理系统,使用BQ76940完成对电池组信息的采样,使用反激式填谷均衡电路实现电池均衡,通过使用副边切换方案,减少了成本,使用光MOS解决高电位MOSFET的控制问题。通过使用集成芯片,采样准确性和稳定性得到了保证,系统设计均衡电流可达2A,27分钟可将电池组的极差从488m V均衡至87m V。