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基于Sigmund理论的溅射产额计算及分析
被引量:
12
1
作者
陈明
王君
+1 位作者
陈长琦
刘珍
《真空》
CAS
北大核心
2007年第2期44-47,共4页
溅射产额是表征溅射效应的重要参数。Sigmund的线性级联碰撞理论在溅射产额计算中获得了广泛的应用和发展。本文对Sigmund理论进行简单介绍,并对基于Sigmund理论的各种经验公式进行分析。在此基础上,对不同条件下的溅射产额进行了计算,...
溅射产额是表征溅射效应的重要参数。Sigmund的线性级联碰撞理论在溅射产额计算中获得了广泛的应用和发展。本文对Sigmund理论进行简单介绍,并对基于Sigmund理论的各种经验公式进行分析。在此基础上,对不同条件下的溅射产额进行了计算,通过计算结果,对各种公式的使用范围进行了讨论。
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关键词
Sigmund理论
溅
射
产额
入射离子能量
下载PDF
职称材料
阳极磁屏蔽对阳极层霍尔推力器内磁极刻蚀的影响
2
作者
赵杰
唐德礼
+4 位作者
许丽
李平川
张帆
李建
桂兵仪
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第21期226-232,共7页
利用PIC与溅射模拟相结合的方法,研究阳极层霍尔推力器的阳极磁屏蔽对内磁极刻蚀速率的影响.通过磁屏蔽技术,改变了阳极表面的磁场位形分布,提高了推力器磁镜场的磁镜比和中轴线上的正梯度的磁场宽度.磁镜比是原来的1.4倍,且增加了两个...
利用PIC与溅射模拟相结合的方法,研究阳极层霍尔推力器的阳极磁屏蔽对内磁极刻蚀速率的影响.通过磁屏蔽技术,改变了阳极表面的磁场位形分布,提高了推力器磁镜场的磁镜比和中轴线上的正梯度的磁场宽度.磁镜比是原来的1.4倍,且增加了两个鞍形磁场区域.在放电电压900 V,工作气压2×10–2 Pa时,仿真结果表明:在阳极磁屏蔽的情况下,大部分轰击内磁极的离子能量概率分布范围在40-260eV之间,比无屏蔽下的40-360 eV下降了将近100 eV;入射角余弦值的最大概率分布从0.1附近的小范围(入射角84°)扩展到0.1-0.45 (入射角84°-63°)的大范围;阳极屏蔽后的内磁极最大刻蚀速率是6.1×10–10 m/s,比无磁屏蔽时的16×10–10 m/s降低了38.2%.无磁屏蔽下的仿真结果和实验结果具有很好的一致性.
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关键词
阳极层霍尔推力器
磁屏蔽
入射离子能量
刻蚀速率
全文增补中
题名
基于Sigmund理论的溅射产额计算及分析
被引量:
12
1
作者
陈明
王君
陈长琦
刘珍
机构
合肥工业大学机械与汽车工程学院
出处
《真空》
CAS
北大核心
2007年第2期44-47,共4页
文摘
溅射产额是表征溅射效应的重要参数。Sigmund的线性级联碰撞理论在溅射产额计算中获得了广泛的应用和发展。本文对Sigmund理论进行简单介绍,并对基于Sigmund理论的各种经验公式进行分析。在此基础上,对不同条件下的溅射产额进行了计算,通过计算结果,对各种公式的使用范围进行了讨论。
关键词
Sigmund理论
溅
射
产额
入射离子能量
Keywords
Sigmund' s theory
sputtering yield
incident ionic energy
分类号
TB71 [一般工业技术—真空技术]
下载PDF
职称材料
题名
阳极磁屏蔽对阳极层霍尔推力器内磁极刻蚀的影响
2
作者
赵杰
唐德礼
许丽
李平川
张帆
李建
桂兵仪
机构
核工业西南物理研究院
成都理工大学工程技术学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第21期226-232,共7页
基金
国家自然科学基金(批准号:11775073)
四川省科技厅项目(批准号:2019YJ0705)资助的课题~~
文摘
利用PIC与溅射模拟相结合的方法,研究阳极层霍尔推力器的阳极磁屏蔽对内磁极刻蚀速率的影响.通过磁屏蔽技术,改变了阳极表面的磁场位形分布,提高了推力器磁镜场的磁镜比和中轴线上的正梯度的磁场宽度.磁镜比是原来的1.4倍,且增加了两个鞍形磁场区域.在放电电压900 V,工作气压2×10–2 Pa时,仿真结果表明:在阳极磁屏蔽的情况下,大部分轰击内磁极的离子能量概率分布范围在40-260eV之间,比无屏蔽下的40-360 eV下降了将近100 eV;入射角余弦值的最大概率分布从0.1附近的小范围(入射角84°)扩展到0.1-0.45 (入射角84°-63°)的大范围;阳极屏蔽后的内磁极最大刻蚀速率是6.1×10–10 m/s,比无磁屏蔽时的16×10–10 m/s降低了38.2%.无磁屏蔽下的仿真结果和实验结果具有很好的一致性.
关键词
阳极层霍尔推力器
磁屏蔽
入射离子能量
刻蚀速率
Keywords
anode layer Hall thruster
magnetic shield
incident ion energy
etching rate
分类号
V439.4 [航空宇航科学与技术—航空宇航推进理论与工程]
全文增补中
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于Sigmund理论的溅射产额计算及分析
陈明
王君
陈长琦
刘珍
《真空》
CAS
北大核心
2007
12
下载PDF
职称材料
2
阳极磁屏蔽对阳极层霍尔推力器内磁极刻蚀的影响
赵杰
唐德礼
许丽
李平川
张帆
李建
桂兵仪
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
0
全文增补中
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