SOI全介质隔离与高频互补双极兼容工艺

ＳＯＩ材料的全介质隔离技术与高频互补双极工艺的结合是研制抗辐照能力强、频带宽、速度高的集成运算放大器的理想途径。从实验的角度提出了一种ＳＯＩ材料全介质隔离与高频互补双极工艺兼容的工艺途径。

一种适合SOI全介质隔离电路的平坦化技术

介绍了一种适合制作SOI全介质隔离电路的平坦化技术。该技术采用外延多晶硅回填隔离槽,并结合化学机械抛光,使SOI全介质隔离完成后形成的表面能达到单晶硅抛光材料的水平。该工艺适合制作某些具有特殊要求的集成电路、MEMS器件构件以及将电路和MEMS构件集成在同一硅片上的一体化加工。