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全压接双向晶闸管换向特性的研究
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作者 赵田 《内江科技》 2024年第11期19-19,93,共2页
相较于遥控门极结构的双向晶闸管,全压接双向晶闸管具有双触发门极结构,它极大地提升了元件的功率容量,大大拓展了双向晶闸管在工业领域的应用范围。作为交流全波功率控制器件,换向特性是双向晶闸管特有的电特性,应用中一旦器件换向失... 相较于遥控门极结构的双向晶闸管,全压接双向晶闸管具有双触发门极结构,它极大地提升了元件的功率容量,大大拓展了双向晶闸管在工业领域的应用范围。作为交流全波功率控制器件,换向特性是双向晶闸管特有的电特性,应用中一旦器件换向失败则交流电功率控制也即告失败。本项目针对双向晶闸管的换向特性展开研究,结果表明,通过对器件结构及工艺参数的优化可以有效地避免此类现象的发生。 展开更多
关键词 双向晶闸管 功率控制 器件结构 电特性 功率容量 控制器件 全压接 交流电
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平板全压接式大功率IGBT多模架精密陶瓷管壳简述 被引量:1
2
作者 张蕾 《现代商贸工业》 2016年第14期214-215,共2页
突破中小功率IGBT模块的制造技术,另辟途径,采用大功率晶闸管最新成果——全压接式封接结构,研制成功适合于大功率IGBT封装的多模架陶瓷外壳。产品经国家电力电子质量监督检验中心检测,主要技术指标达到设计要求。
关键词 IGBT模块 全压接结构 功率密度 热阻
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全压接器件台面工艺技术
3
作者 李勇 《电子元器件应用》 2003年第8期50-52,共3页
介绍全压接结构器件采用负斜角造型的方法,并对使用葫芦串方法腐蚀台面、进口双组份硅橡胶浇注保护台面等关键技术进行分析和讨论。
关键词 全压接器件 负斜角造型 葫芦串方法 功率器件 台面成型技术 半导体器件
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浅析全压接式电连接线夹接触电阻检测方法
4
作者 杨占辉 《内蒙古科技与经济》 2012年第21期91-92,94,共3页
通过对比2种测量方法和模拟试验,分析了全压接式电连接线夹接触电阻的合理检测方法。
关键词 全压接 电连线夹 触电阻 检测方法
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不同封装形式压接型IGBT器件的电-热应力研究 被引量:10
5
作者 李辉 龙海洋 +3 位作者 姚然 王晓 钟懿 李金元 《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心 2020年第8期76-81,共6页
基于多物理场建模对比分析全压接和银烧结封装压接型IGBT器件的电-热应力。首先根据全压接和银烧结封装压接型IGBT的实际结构和材料属性,建立3.3 kV/50 A压接型IGBT器件的电-热-力多耦合场有限元模型;其次仿真分析额定工况下2种封装IGB... 基于多物理场建模对比分析全压接和银烧结封装压接型IGBT器件的电-热应力。首先根据全压接和银烧结封装压接型IGBT的实际结构和材料属性,建立3.3 kV/50 A压接型IGBT器件的电-热-力多耦合场有限元模型;其次仿真分析额定工况下2种封装IGBT器件的电-热性能,并通过实验平台验证所建模型的合理性;然后研究了3.3 kV/1500 A多芯片压接型IGBT模块的电-热应力,并探究了不同封装压接型IGBT器件电-热应力存在差异的原因;最后比较了2种封装压接型IGBT器件内部的电-热应力随夹具压力和导通电流变化的规律。结果表明银烧结封装降低了压接型IGBT器件的导通压降和结温,提升了器件散热能力;但银烧结封装也增大了IGBT芯片表面的机械应力,应力增大对IGBT器件疲劳失效的影响亟需实验验证。 展开更多
关键词 型IGBT 全压接封装 银烧结封装 多物理场建模 电-热应力分析
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新型压接式IGBT模块的结构设计与特性分析 被引量:15
6
作者 窦泽春 Rupert Stevens +2 位作者 忻兰苑 刘国友 徐凝华 《机车电传动》 北大核心 2013年第1期10-13,共4页
介绍了一种新型压接式绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)模块的内部结构设计,分析其相对于传统IGBT模块的优势,并通过静态和动态测试分析了其电气性能特点,展示了其良好的特性以及广阔的应用范围。
关键词 全压接 IGBT模块 结构设计 特性分析
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12kV/1kA晶闸管
7
作者 H.Iwamoto 黄松元 《大功率变流技术》 1995年第4期30-33,共4页
阻断电压12 kV,平均通态电流1kA的超高阻断电压晶闸管已经面世。为了获得高的阻断电压和低的通态压降,优化了扩散热工艺以及门极和阴极结构,并采用了全压接技术。介绍了这种器件的结构和电特性。
关键词 晶闸管 扩散 台面腐蚀 全压接技术
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