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全压接双向晶闸管换向特性的研究
1
作者
赵田
《内江科技》
2024年第11期19-19,93,共2页
相较于遥控门极结构的双向晶闸管,全压接双向晶闸管具有双触发门极结构,它极大地提升了元件的功率容量,大大拓展了双向晶闸管在工业领域的应用范围。作为交流全波功率控制器件,换向特性是双向晶闸管特有的电特性,应用中一旦器件换向失...
相较于遥控门极结构的双向晶闸管,全压接双向晶闸管具有双触发门极结构,它极大地提升了元件的功率容量,大大拓展了双向晶闸管在工业领域的应用范围。作为交流全波功率控制器件,换向特性是双向晶闸管特有的电特性,应用中一旦器件换向失败则交流电功率控制也即告失败。本项目针对双向晶闸管的换向特性展开研究,结果表明,通过对器件结构及工艺参数的优化可以有效地避免此类现象的发生。
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关键词
双向晶闸管
功率控制
器件结构
电特性
功率容量
控制器件
全压接
交流电
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职称材料
平板全压接式大功率IGBT多模架精密陶瓷管壳简述
被引量:
1
2
作者
张蕾
《现代商贸工业》
2016年第14期214-215,共2页
突破中小功率IGBT模块的制造技术,另辟途径,采用大功率晶闸管最新成果——全压接式封接结构,研制成功适合于大功率IGBT封装的多模架陶瓷外壳。产品经国家电力电子质量监督检验中心检测,主要技术指标达到设计要求。
关键词
IGBT模块
全压接
结构
功率密度
热阻
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职称材料
全压接器件台面工艺技术
3
作者
李勇
《电子元器件应用》
2003年第8期50-52,共3页
介绍全压接结构器件采用负斜角造型的方法,并对使用葫芦串方法腐蚀台面、进口双组份硅橡胶浇注保护台面等关键技术进行分析和讨论。
关键词
全压接
器件
负斜角造型
葫芦串方法
功率器件
台面成型技术
半导体器件
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职称材料
浅析全压接式电连接线夹接触电阻检测方法
4
作者
杨占辉
《内蒙古科技与经济》
2012年第21期91-92,94,共3页
通过对比2种测量方法和模拟试验,分析了全压接式电连接线夹接触电阻的合理检测方法。
关键词
全压接
式
电连
接
线夹
接
触电阻
检测方法
下载PDF
职称材料
不同封装形式压接型IGBT器件的电-热应力研究
被引量:
10
5
作者
李辉
龙海洋
+3 位作者
姚然
王晓
钟懿
李金元
《电力自动化设备》
EI
CSCD
北大核心
2020年第8期76-81,共6页
基于多物理场建模对比分析全压接和银烧结封装压接型IGBT器件的电-热应力。首先根据全压接和银烧结封装压接型IGBT的实际结构和材料属性,建立3.3 kV/50 A压接型IGBT器件的电-热-力多耦合场有限元模型;其次仿真分析额定工况下2种封装IGB...
基于多物理场建模对比分析全压接和银烧结封装压接型IGBT器件的电-热应力。首先根据全压接和银烧结封装压接型IGBT的实际结构和材料属性,建立3.3 kV/50 A压接型IGBT器件的电-热-力多耦合场有限元模型;其次仿真分析额定工况下2种封装IGBT器件的电-热性能,并通过实验平台验证所建模型的合理性;然后研究了3.3 kV/1500 A多芯片压接型IGBT模块的电-热应力,并探究了不同封装压接型IGBT器件电-热应力存在差异的原因;最后比较了2种封装压接型IGBT器件内部的电-热应力随夹具压力和导通电流变化的规律。结果表明银烧结封装降低了压接型IGBT器件的导通压降和结温,提升了器件散热能力;但银烧结封装也增大了IGBT芯片表面的机械应力,应力增大对IGBT器件疲劳失效的影响亟需实验验证。
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关键词
压
接
型IGBT
全压接
封装
银烧结封装
多物理场建模
电-热应力分析
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职称材料
新型压接式IGBT模块的结构设计与特性分析
被引量:
15
6
作者
窦泽春
Rupert Stevens
+2 位作者
忻兰苑
刘国友
徐凝华
《机车电传动》
北大核心
2013年第1期10-13,共4页
介绍了一种新型压接式绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)模块的内部结构设计,分析其相对于传统IGBT模块的优势,并通过静态和动态测试分析了其电气性能特点,展示了其良好的特性以及广阔的应用范围。
关键词
全压接
IGBT模块
结构设计
特性分析
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职称材料
12kV/1kA晶闸管
7
作者
H.Iwamoto
黄松元
《大功率变流技术》
1995年第4期30-33,共4页
阻断电压12 kV,平均通态电流1kA的超高阻断电压晶闸管已经面世。为了获得高的阻断电压和低的通态压降,优化了扩散热工艺以及门极和阴极结构,并采用了全压接技术。介绍了这种器件的结构和电特性。
关键词
高
压
晶闸管
扩散
台面腐蚀
全压接
技术
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职称材料
题名
全压接双向晶闸管换向特性的研究
1
作者
赵田
机构
西安电力电子技术研究所
出处
《内江科技》
2024年第11期19-19,93,共2页
文摘
相较于遥控门极结构的双向晶闸管,全压接双向晶闸管具有双触发门极结构,它极大地提升了元件的功率容量,大大拓展了双向晶闸管在工业领域的应用范围。作为交流全波功率控制器件,换向特性是双向晶闸管特有的电特性,应用中一旦器件换向失败则交流电功率控制也即告失败。本项目针对双向晶闸管的换向特性展开研究,结果表明,通过对器件结构及工艺参数的优化可以有效地避免此类现象的发生。
关键词
双向晶闸管
功率控制
器件结构
电特性
功率容量
控制器件
全压接
交流电
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
平板全压接式大功率IGBT多模架精密陶瓷管壳简述
被引量:
1
2
作者
张蕾
机构
河海大学文天学院
出处
《现代商贸工业》
2016年第14期214-215,共2页
文摘
突破中小功率IGBT模块的制造技术,另辟途径,采用大功率晶闸管最新成果——全压接式封接结构,研制成功适合于大功率IGBT封装的多模架陶瓷外壳。产品经国家电力电子质量监督检验中心检测,主要技术指标达到设计要求。
关键词
IGBT模块
全压接
结构
功率密度
热阻
分类号
TN948.53 [电子电信—信号与信息处理]
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职称材料
题名
全压接器件台面工艺技术
3
作者
李勇
机构
株洲电力机车研究所半导体厂
出处
《电子元器件应用》
2003年第8期50-52,共3页
文摘
介绍全压接结构器件采用负斜角造型的方法,并对使用葫芦串方法腐蚀台面、进口双组份硅橡胶浇注保护台面等关键技术进行分析和讨论。
关键词
全压接
器件
负斜角造型
葫芦串方法
功率器件
台面成型技术
半导体器件
Keywords
Alloy-free
Negative beveling
Cucurbit string
Power device
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
浅析全压接式电连接线夹接触电阻检测方法
4
作者
杨占辉
机构
中国中铁电气化局集团有限公司
出处
《内蒙古科技与经济》
2012年第21期91-92,94,共3页
文摘
通过对比2种测量方法和模拟试验,分析了全压接式电连接线夹接触电阻的合理检测方法。
关键词
全压接
式
电连
接
线夹
接
触电阻
检测方法
分类号
U22 [交通运输工程—道路与铁道工程]
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职称材料
题名
不同封装形式压接型IGBT器件的电-热应力研究
被引量:
10
5
作者
李辉
龙海洋
姚然
王晓
钟懿
李金元
机构
重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室
全球能源互联网研究院有限公司先进输电技术国家重点实验室
出处
《电力自动化设备》
EI
CSCD
北大核心
2020年第8期76-81,共6页
基金
国家自然科学基金智能电网联合基金资助项目(U1966213)
国家重点研发计划项目(2016YFB0901800)。
文摘
基于多物理场建模对比分析全压接和银烧结封装压接型IGBT器件的电-热应力。首先根据全压接和银烧结封装压接型IGBT的实际结构和材料属性,建立3.3 kV/50 A压接型IGBT器件的电-热-力多耦合场有限元模型;其次仿真分析额定工况下2种封装IGBT器件的电-热性能,并通过实验平台验证所建模型的合理性;然后研究了3.3 kV/1500 A多芯片压接型IGBT模块的电-热应力,并探究了不同封装压接型IGBT器件电-热应力存在差异的原因;最后比较了2种封装压接型IGBT器件内部的电-热应力随夹具压力和导通电流变化的规律。结果表明银烧结封装降低了压接型IGBT器件的导通压降和结温,提升了器件散热能力;但银烧结封装也增大了IGBT芯片表面的机械应力,应力增大对IGBT器件疲劳失效的影响亟需实验验证。
关键词
压
接
型IGBT
全压接
封装
银烧结封装
多物理场建模
电-热应力分析
Keywords
press pack IGBT
fully pressure package
silver sintered package
multi-physical field modeling
electro-thermal stress analysis
分类号
TM23 [一般工业技术—材料科学与工程]
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
新型压接式IGBT模块的结构设计与特性分析
被引量:
15
6
作者
窦泽春
Rupert Stevens
忻兰苑
刘国友
徐凝华
机构
株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体研发中心
出处
《机车电传动》
北大核心
2013年第1期10-13,共4页
文摘
介绍了一种新型压接式绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)模块的内部结构设计,分析其相对于传统IGBT模块的优势,并通过静态和动态测试分析了其电气性能特点,展示了其良好的特性以及广阔的应用范围。
关键词
全压接
IGBT模块
结构设计
特性分析
Keywords
press pack
1GBT module
structure design
characteristic analysis
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
TN34 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
12kV/1kA晶闸管
7
作者
H.Iwamoto
黄松元
机构
日
出处
《大功率变流技术》
1995年第4期30-33,共4页
文摘
阻断电压12 kV,平均通态电流1kA的超高阻断电压晶闸管已经面世。为了获得高的阻断电压和低的通态压降,优化了扩散热工艺以及门极和阴极结构,并采用了全压接技术。介绍了这种器件的结构和电特性。
关键词
高
压
晶闸管
扩散
台面腐蚀
全压接
技术
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
全压接双向晶闸管换向特性的研究
赵田
《内江科技》
2024
0
下载PDF
职称材料
2
平板全压接式大功率IGBT多模架精密陶瓷管壳简述
张蕾
《现代商贸工业》
2016
1
下载PDF
职称材料
3
全压接器件台面工艺技术
李勇
《电子元器件应用》
2003
0
下载PDF
职称材料
4
浅析全压接式电连接线夹接触电阻检测方法
杨占辉
《内蒙古科技与经济》
2012
0
下载PDF
职称材料
5
不同封装形式压接型IGBT器件的电-热应力研究
李辉
龙海洋
姚然
王晓
钟懿
李金元
《电力自动化设备》
EI
CSCD
北大核心
2020
10
下载PDF
职称材料
6
新型压接式IGBT模块的结构设计与特性分析
窦泽春
Rupert Stevens
忻兰苑
刘国友
徐凝华
《机车电传动》
北大核心
2013
15
下载PDF
职称材料
7
12kV/1kA晶闸管
H.Iwamoto
黄松元
《大功率变流技术》
1995
0
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职称材料
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