O484.1 96053278GaN单晶薄膜的刻蚀研究=Study on etching ofGaN single crystal film[刊,中]/金泗轩,丁晓民,崔晓明,童玉珍,党小忠,徐自亮,杨志坚,林铀,张国义(北京大学物理系.北京(100871)),阎桂珍(北京大学微电子研究所.北京(100871)...O484.1 96053278GaN单晶薄膜的刻蚀研究=Study on etching ofGaN single crystal film[刊,中]/金泗轩,丁晓民,崔晓明,童玉珍,党小忠,徐自亮,杨志坚,林铀,张国义(北京大学物理系.北京(100871)),阎桂珍(北京大学微电子研究所.北京(100871))∥光子学报.—1995,24(Z3).展开更多
O484.1 97053295Hg<sub>1-x</sub>Cd<sub>x</sub> Te外延薄膜的自由载流子吸收=Free carrierabsorption spectra for Hg<sub>1-x</sub>Cd<sub>x</sub> Te epilayers[刊,中]/李标,褚君...O484.1 97053295Hg<sub>1-x</sub>Cd<sub>x</sub> Te外延薄膜的自由载流子吸收=Free carrierabsorption spectra for Hg<sub>1-x</sub>Cd<sub>x</sub> Te epilayers[刊,中]/李标,褚君浩,石晓红,陈新强,曹菊英,汤定元(中科院上海技物所.上海(200083))∥物理学报.—1996,45(9).—1430—1437讨论了Hg<sub>1-x</sub>Cd<sub>x</sub> Te外延薄膜的自由载流子吸收光谱,分析了外延层的纵向组分分布及Te沉淀物对吸收曲线的影响,结果表明,由于外延薄膜存在着纵向组分的不均匀性,其吸收特性与体材料有区别。展开更多
基金National Natural Science Foundation of China(51972328,51903244)Youth Innovation Promotion Association,Chinese Academy of Sciences(2018288)+3 种基金Science Foundation for Youth Scholar of State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructures(SKL201703)Shanghai Pujiang Program(18PJD051)Key Research and Development Plan of Anhui Province(1804a09020061)Shanghai Sailing Program(19YF1454300)。
文摘O484.1 96053278GaN单晶薄膜的刻蚀研究=Study on etching ofGaN single crystal film[刊,中]/金泗轩,丁晓民,崔晓明,童玉珍,党小忠,徐自亮,杨志坚,林铀,张国义(北京大学物理系.北京(100871)),阎桂珍(北京大学微电子研究所.北京(100871))∥光子学报.—1995,24(Z3).
文摘O484.1 97053295Hg<sub>1-x</sub>Cd<sub>x</sub> Te外延薄膜的自由载流子吸收=Free carrierabsorption spectra for Hg<sub>1-x</sub>Cd<sub>x</sub> Te epilayers[刊,中]/李标,褚君浩,石晓红,陈新强,曹菊英,汤定元(中科院上海技物所.上海(200083))∥物理学报.—1996,45(9).—1430—1437讨论了Hg<sub>1-x</sub>Cd<sub>x</sub> Te外延薄膜的自由载流子吸收光谱,分析了外延层的纵向组分分布及Te沉淀物对吸收曲线的影响,结果表明,由于外延薄膜存在着纵向组分的不均匀性,其吸收特性与体材料有区别。