Micro LED当前面临的瓶颈及技术进展

Micro LED技术作为下一代显示技术的前沿研究领域,具备高亮度、高对比度和高能效等优势。回顾了Micro LED技术的发展历程,重点介绍了其技术难点以及当前的进展情况。技术难点包括外延结构设计、芯片制备中的尺寸效应、全彩化问题、Micro LED系统集成和可靠性研究。当前的进展涵盖了侧壁效应抑制、全彩化方案、巨量转移技术、氮化物红光技术、色转换技术、垂直堆叠技术、CMOS和TFT驱动、三维集成技术、透明显示以及纳米LED。最后展望了Micro LED技术的未来发展方向,包括解决技术难题、推动产业化进程和实现更广泛的应用。

OLED发光及显示技术

OLED具有轻薄、主动发光、低功耗、重量轻、高效率和生产成本低等优点。因而成了新一代的平板显示器的热点。本文主要介绍OLED的基本结构、发光原理、应用材料和全彩化显示技术。

高度集成的μLED显示技术研究进展

微型发光二极管(μLED)是当今国际最前沿的显示技术之一,它一般指单个尺寸小于50μm的LED阵列。μLED相对于液晶显示(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示等技术有其独特的优势:寿命长、响应时间短、亮度高。最重要的是,它可以实现高度集成显示,既包括像素密度远远高于常规显示技术的高PPI显示器件,也包括我们首次提出的集成了某些非显示元件的超大规模集成半导体信息显示器件(HISID)。在许多显示技术的指标上,μLED的性能都很优异。但是,由于μLED将常规LED器件的尺寸大大缩小,且往往密度提高,因此产生了许多新的技术和物理上的挑战,例如巨量转移技术、全彩化显示等,所以μLED尚未实现真正意义上的产业化。本文对高度集成μLED显示技术的研究和发展情况进行了较系统的论述,首先对μLED的基本原理和结构进行了介绍,然后对其重点核心技术进行了分类研究和点评,最后对μLED显示技术的发展方向及其应用前景做出了分析。

Micro-LED显示的发展现状与技术挑战

Micro-LED技术被认为是消费电子领域下一个世代的显示技术。尽管市场上已经有很多公司推出了基于Micro-LED显示技术的样机以及应用示范,然而Micro-LED显示技术远没有达到成熟的程度。本文从Micro-LED显示技术的历史、定义及技术挑战进行了综述,重点总结了Micro-LED在工程领域的技术挑战,最后对Micro-LED技术的未来发展方向进行了探讨。Micro-LED在芯片、巨量转移、全彩化等方面仍存在技术挑战,但其所展现出的高分辨、快响应、低能耗、长寿命等突出特点,能满足超小和超大显示的需求,如虚拟/增强显示和电子广告牌,展现出巨大的应用潜力,已经在学术界和工业界引起了广泛研究。

Micro-LED显示及驱动IC技术

Micro-LED作为微小间距显示的典型代表,是目前显示技术的研究热点,具有自发光、高效率、低功耗、高集成度以及高稳定性等诸多优点,且体积小、灵活性高、易于拆解与合并,能够应用于现有从小尺寸到大尺寸的任何显示应用场合中。市场上很多公司推出了Micro-LED显示的样机及应用示范,但目前的Micro-LED显示技术还有较大的发展空间。本文从Micro-LED显示技术的发展历程出发,总结了Micro-LED显示技术的发展概况及面临的技术挑战,如巨量转移、全彩化等,阐述了显示原理及显示驱动框架,最后结合集创的Micro-LED驱动IC说明了目前的最新研究技术,并对MicroLED的应用及发展进行了思考与展望。

Micro LED研究进展综述

基于近代显示技术的发展背景,对比传统的LED显示技术分析了Micro LED技术的发展潜力,总结出Micro LED所具有的显示技术优势;从Micro LED发展进程与技术原理出发,系统阐述了目前存在的三大封装工艺特点即Micro LED全彩化技术、巨量转移技术、微缩制程技术;介绍了当前Micro LED的三种驱动模式即PM无源选址驱动、AM有源选址驱动、半有源驱动;综述了当前Micro LED驱动的研究进展以及商业化应用,并且对研究方法进行评述;展望了Micro LED进一步研究方向,对实际研究和应用具有一定作用。