微结构成型的革命化技术——全息微光刻术

不久前,针对传统的光学微光刻术,出现一种效率更高的技术,这就是利用全息图而不是一般用透镜,将掩模的结构复制在芯片上.按此方法,可利用常规的紫外激光,在大的照明范围内达到0.25μm的分辨率.随着电子存储元件不断地小型化,而基底面积越来越增大,传统的光刻方法,碰到了它们工艺上的极限.透镜不断增大的同时,像差也增大,这就引起了图像的畸变,到目前为止还不能够大于25×25mm^2的视场,在高分辨率应用情况进行一次性照明.有一种不用透镜也行的光刻方法,它与传统方法相比,有很多优点,也许能够使光学光刻的结束期延长.这种无透镜方法是以全息术为基础的.