以BMA-MA共聚物为成膜树脂的光致聚合物材料的全息性能

采用溶液聚合法合成了水溶性的甲基丙烯酸丁酯-甲基丙烯酸(BMA-MA)共聚物,以这种共聚物为成膜树脂制备了光致聚合物全息材料,研究了光致聚合物全息材料的光敏性、衍射效率、空间频率响应、折射率调制度、曝光能量常数等全息性能。结果表明,在记录信号空间频率为1580 cy/mm时,以BMA-MA共聚物为成膜树脂的光致聚合物全息材料的灵敏度可达15 mJ/cm2,最大衍射效率为92.8%,曝光能量常量为10.9 mJ/cm2,衍射效率随所记录信号空间频率的增加而降低,材料的最大折射率调制度为2.85×10-3,是一种具有一定应用前景的光致聚合物全息材料。

重铬酸盐明胶的全息性能的研究

本文内容分三个部分,共7章。第一部分即第1章为文献综述部分。在这一部分里,系统地论述了重铬酸盐明胶(DCG)全息的发展历史、成像机理、明胶对全息性能的影响、DCG的增感和全息图的环境稳定性,并对DCG的性能改善作了展望。在文献综述的最后部分提出了本论文将要进行的实验工作。

接枝明胶对DCG全息性能和环境稳定性的影响

1.前言 重铬酸化明胶(Dichromated gelatin,DCG)的光敏性早在1838年已被发现,1855年起重铬酸化明胶已用于印刷工业、照相领域,以及丝网印刷等技术。随着现代科学技术的发展,DCG这种古老的光敏材料,经过Shankoff及其他人所作的独特处理。

激光波长对镁钌铁铌酸锂的全息存储性能影响

在生长Fe∶LiNbO3熔体中掺进摩尔分数x(Ru2O3)=0.1%和x(MgO)=1%、3%、7%,用提拉法生长镁钌铁铌酸锂(Mg∶Ru∶Fe∶LiNbO3)晶体。通过二波耦合光路,分别以红光(632.8nm)、绿光(532nm)和蓝光(476nm)为光源测量晶体的全息存储性能。实验结果表明,在476nm下,Mg∶Ru∶Fe∶LiNbO3晶体全息存储性能随着Mg离子掺杂浓度的增加而呈现逐渐增强的趋势,与其在红光和绿光下不同。研究了Mg离子掺杂浓度的增加使Mg∶Ru∶Fe∶LiNbO3晶体的蓝光全息存储性能增强的机理。

Ce:Eu:SBN晶体的生长和全息存储性能研究

在SBN中掺进0.1%(质量分数)CeO2和0.1%(质量分数)Eu2O3,以Czochralski技术生长Ce:Eu:SBN晶体,在空气中退火24h,退火温度为1300℃.测试Ce:Eu:SBN晶体的住相共轭反射率和响应时间.Ce:Eu:SBN晶体最大位相共轭反射率(R=92%)和响应时间(38s),以Ce:Eu:SBN晶体作为存储元件和位相共轭镜(阈值,增益反馈系统)进行全息关联存储实验.系统具有实时处理、反复使用、成像质量好、信噪比高等优点.Ce:Eu:SBN晶体是比SBN晶体全息存储性能更好的晶体.

In:Fe:LiNbO_3晶体及其全息关联存储性能研究

在LiNbO_3晶体中同时掺入质量分数ω为0.03％的Fe_2O_3和摩尔分数x(In_2O_3)为0.5％,1％和1.5％,分别生长成In(x=1％):Fe:LiNbO_3,In(x=2％):Fe:LiNbO_3和In(x=3％):Fe:LiNbO_3晶体。测试晶体的红外光谱;测试晶体的位相共轭反射率,并以In(x=3％):Fe:LiNbO_3晶体作为存储元件,以In(x=1％):Fe:LiNbO_3晶体位相共轭镜作为阈值反馈系统,实现了全息关联存储。

双固化型全息用光致聚合物的研制及其全息性质研究

以环氧树脂为成膜树脂，甲基丙烯酸甲酯为光聚合活性单体，研制了一种双固化型全息用光致聚合物材料。通过成膜树脂配方的选取和光敏染料的选取优化了样片的配方组成，用457nm的蓝光在样片中记录全息光栅，用632．8nm的红光作为探针光，研究了样片的衍射效率、灵敏度、折射率调制度、预曝光量和收缩率等全息性能，测试结果表明单体的含量与组分的选取是影响样片衍射效率的主要因素，同时样片的制膜工艺对其全息性能也有很大的影响，通过配方的调整和制膜工艺的优化，部分样片的综合性能已基本达到实用化的需要。

Sc:Fe:LiNbO_3晶体的生长和光学性能研究

研究双掺Fe(0.03wt%Fe2O3)和Sc(0,1,2,3mol%)铌酸锂晶体全息存储性能.通过晶体红外光谱测试发现:Sc:Fe:LiNbO3晶体中Sc的掺杂浓度超过3mol%时,Sc:Fe:LiNbO3晶体的O-H吸收峰的位置从低掺杂时的3484cm-1移动到3508cm-1。采用光斑畸变法测得(3mol%)Sc:Fe:LiNbO3晶体抗光损伤能力为3.3×103W/cm2,比Fe:LiNbO3提高了二个数量级。晶体的红外吸收光谱和抗光损伤能力显示:Sc的掺杂浓度为3mol%时具有明显的阈值特征。采用波长为632nm的He-Ne激光器作为光源,通过二波耦合方法测试晶体全息存储性能。实验表明:在一系列Sc:Fe:LiNbO3晶体中,Sc(2mol%):Fe:LiNbO3晶体能获得最佳的光折变灵敏度和动态范围。

InvFevLiNbO_3晶体的全息存储性能研究

在 Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３ 中掺进 Ｉｎ２ Ｏ３ 和 Ｆｅ２ Ｏ３ 用恰克拉斯基（ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法生长 Ｉｎｖ Ｆｅｖ Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３ 晶体。测试表明， Ｉｎｖ Ｆｅｖ Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３ 晶体抗光致散射能力高， 响应速度快， 存储保存时间长。研究了 Ｉｎｖ Ｆｅｖ Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３ 晶体全息存储性能的机理， 测得的衍射效率最大值为 ７３％ 。

近化学计量比高掺铁铌酸锂晶体的红光全息存储性能

采用提拉法生长了掺质量分数分别为0.01%,0.05%和0.10%Fe2O3的近化学计量比掺铁铌酸锂晶体(near stochiometric Fe:LiNbO3,Fe:NSLN)。采用633nm波长的激光作为光源,利用二波耦合实验和光斑畸变法研究了晶体的红光全息性能。结果显示:当铁含量小于0.05%时,随着铁含量的增加,晶体的写入时间和擦除时间变短,灵敏度增加,动态范围增大,最大衍射效率增强,抗光损伤能力降低。但当铁含量为0.10%时,最大衍射效率减小,抗光损伤能力急剧降低。结合晶体的结构缺陷模型对此现象进行了解释。

Mg:Sc:Fe:LiNbO_3晶体缺陷结构和全息存储性能

采用提拉法,从Li/Nb变化(0.94,1.05,1.20,1.38)的熔体中生长出Mg:Sc:Fe:LiNbO_3晶体。Li/Nb=1.05的晶体OH^-振动吸收峰在3504cm^(-1)处出现的主吸收峰,且在3466cm^(-1)、3481m^(-1)处有两附加峰。Li/Nb=1.38的晶体OH^-振动吸收峰在3535 cm^(-1)处出现附加吸收峰。红外光谱结果表示Li/Nb=1.05的晶体是近化学剂量比的,且Sc掺质优先于Mg掺质达到阈值浓度。采用透射光斑畸变法测得Mg:Sc:Fe:LiNbO_3晶体(Li/Nb=1.05)的抗光损伤能力为2.0×10~4W/cm^2,比Fe:LiNbO_3提高了三个数量级。采用波长为632.8nm的He—Ne激光器作为光源,通过二波耦合方法测试晶体全息存储性能。实验结果表明:随着Li/Nb的增加,晶体的写入时间缩短,晶体的衍射效率降低,光折变灵敏度增加,动态范围减少。在一系列晶体中,Mg:Sc:Fe:LiNbO_3晶体(Li/Nb=1.05)更加适合作为全息存储介质。

光存储及恢复技术

TP333.4 96053148Cu添加石榴石磁光薄膜读、写性能的研究=Astudy of read-write performance of Cu dopedgarnet films for magneto-optical recording[刊,中]/周勇(上海交通大学信息存储研究中心.上海(200030)),杜腾达。

光存储及恢复技术

TP333 95010383 对硅酸铋晶体实时自动记录信息的研究=Researchon automatic real-time informationrecords in BSO crystal[刊,中]/王文生（长春光学精密机械学院）//硅酸盐学报.—1994,22（2）.—124—128在LiNbO3中掺入CeO2和Fe2O3,生长Ce:Fe:LiNbO3晶体。对该晶体进行氧化、还原处理,可有效地改变晶体中不同价态离子的相对浓度,改善晶体的光折变性能。该晶体具有良好的全息存储性能,以Ce:Fe:LiNbO3晶体作为全息存储元件。

掺入不同粒径Al_2O_3纳米颗粒的光致聚合物全息特性研究

在丙烯酰胺基光致聚合物材料中,分别掺入几种不同粒径的高分散性Al2O3纳米颗粒,用Ar+Kr+激光器647nm激光对其进行全息曝光,对其全息记录性能进行研究。结果表明,聚合物中掺入Al2O3纳米颗粒后,Al2O3纳米颗粒能够促进聚合物中光化反应的进行,同时用分散剂对Al2O3纳米颗粒的修饰,使Al2O3纳米颗粒的团簇效应降低,增加其单分散性。聚合物经曝光后,有效地形成由纳米颗粒与聚合物单体空间分布的折射率调制光栅,并且在聚合物中组成类"骨架"结构,有效地起到抑制材料的缩皱的作用,使材料的衍射效率和布拉格偏移等光学特性得到很大改善。此外,体系存在一个最优值,当掺入平均粒径约为10nm且同时控制浓度为1.02×10-3 mol/L的Al2O3纳米颗粒时,样品的衍射效率从52.6%提升到93.8%,缩皱率降低到0.8%,布拉格偏移降低到0.04°,极大地提高了材料的全息性能。