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高亮度LED中ODR反光镜反射率温度特性研究
1
作者
宋欣原
邹德恕
+2 位作者
张剑铭
刘思南
沈光地
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期396-399,共4页
对Al/SiO2、Al/ITO、Au/SiO2、Au/ITO构成的ODR(Omni-directional reflector)结构,对应400~800 nm的不同波长,在不同温度下,对于反光镜的反射率的影响,进行了研究。提出了在460 nm的蓝光波段,Al/SiO2合金温度在500~700 K时,反射率会...
对Al/SiO2、Al/ITO、Au/SiO2、Au/ITO构成的ODR(Omni-directional reflector)结构,对应400~800 nm的不同波长,在不同温度下,对于反光镜的反射率的影响,进行了研究。提出了在460 nm的蓝光波段,Al/SiO2合金温度在500~700 K时,反射率会达到最小值,温度在700 K以上时,又到常温值,且略微增加;Al/ITO反射率是随着温度变化单调下降的,因此要在Al反光镜的表面采用Ti/Al/Ti/Au的结构,改善反光镜的特性;620 nm的红光波段,Au/SiO2和Au/ITO的合金温度在700 K时,具有最理想的反射率,且Au/SiO2结构的反射效果要优于Au/ITO结构。用实验的方式进行了验证,分析了可能造成反射率变化的原因。
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关键词
退火
反射率
全方位反光镜
结构
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职称材料
基于Au/Au直接键合的高亮度ODRLED
被引量:
4
2
作者
李一博
郭霞
+2 位作者
关宝路
揣东旭
沈光地
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期399-402,449,共5页
提出利用Au/Au直接键合制作高亮度全方位反光镜(ODR)LED的新工艺。工艺采用Si做转移衬底,氧化铟锡(ITO)做窗口层和缓冲层,在0.35mPa压力,260°C的低温下实现Au/Au固相直接键合。直接键合后,Al-GaInP有源区与Si衬底结合牢固完整,保...
提出利用Au/Au直接键合制作高亮度全方位反光镜(ODR)LED的新工艺。工艺采用Si做转移衬底,氧化铟锡(ITO)做窗口层和缓冲层,在0.35mPa压力,260°C的低温下实现Au/Au固相直接键合。直接键合后,Al-GaInP有源区与Si衬底结合牢固完整,保证了全方位反光镜的性能。在正向电流20mA下,键合ODR结构LED的正向压降是常规吸收衬底LED的80%,光输出功率和流明效率是常规吸收衬底LED的1.5倍和2.1倍。
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关键词
铝镓铟磷
硅衬底
氧化铟锡
全方位反光镜
直接键合
发光二极管
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职称材料
题名
高亮度LED中ODR反光镜反射率温度特性研究
1
作者
宋欣原
邹德恕
张剑铭
刘思南
沈光地
机构
北京工业大学
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期396-399,共4页
基金
国家973计划(20000683-02)
北京市教委项目(2002kj018)
+2 种基金
北工大博士启动基金(kz0204200387)
国家自然科学基金(60407009)
北京自然科学基金(4032007)
文摘
对Al/SiO2、Al/ITO、Au/SiO2、Au/ITO构成的ODR(Omni-directional reflector)结构,对应400~800 nm的不同波长,在不同温度下,对于反光镜的反射率的影响,进行了研究。提出了在460 nm的蓝光波段,Al/SiO2合金温度在500~700 K时,反射率会达到最小值,温度在700 K以上时,又到常温值,且略微增加;Al/ITO反射率是随着温度变化单调下降的,因此要在Al反光镜的表面采用Ti/Al/Ti/Au的结构,改善反光镜的特性;620 nm的红光波段,Au/SiO2和Au/ITO的合金温度在700 K时,具有最理想的反射率,且Au/SiO2结构的反射效果要优于Au/ITO结构。用实验的方式进行了验证,分析了可能造成反射率变化的原因。
关键词
退火
反射率
全方位反光镜
结构
Keywords
anneal
reflectivity
omni-directional reflector structure
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于Au/Au直接键合的高亮度ODRLED
被引量:
4
2
作者
李一博
郭霞
关宝路
揣东旭
沈光地
机构
北京工业大学北京市光电子技术实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期399-402,449,共5页
基金
国家自然科学基金(No60506012)
国家重点基础研究发展计划项目(973计划:No2006CB604902)
+3 种基金
霍英东基金(No101062)
国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A121)
教育部新世纪优秀人才计划项目(批准号:39002013200801)
北京市青年骨干教师培养计划项目(NoJ2002013200801)
文摘
提出利用Au/Au直接键合制作高亮度全方位反光镜(ODR)LED的新工艺。工艺采用Si做转移衬底,氧化铟锡(ITO)做窗口层和缓冲层,在0.35mPa压力,260°C的低温下实现Au/Au固相直接键合。直接键合后,Al-GaInP有源区与Si衬底结合牢固完整,保证了全方位反光镜的性能。在正向电流20mA下,键合ODR结构LED的正向压降是常规吸收衬底LED的80%,光输出功率和流明效率是常规吸收衬底LED的1.5倍和2.1倍。
关键词
铝镓铟磷
硅衬底
氧化铟锡
全方位反光镜
直接键合
发光二极管
Keywords
AlGaInP
Si substrate
Tin doped Indium Oxide(ITO)
omni-directional reflector
direct wafer bonding
light emitting diode(LED)
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高亮度LED中ODR反光镜反射率温度特性研究
宋欣原
邹德恕
张剑铭
刘思南
沈光地
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
下载PDF
职称材料
2
基于Au/Au直接键合的高亮度ODRLED
李一博
郭霞
关宝路
揣东旭
沈光地
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2009
4
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
统计分析
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