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蒸镀法制备全有机并五苯薄膜场效应晶体管 被引量:4
1
作者 王伟 石家纬 +5 位作者 郭树旭 刘明大 张宏梅 梁昌 全宝富 马东阁 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期203-206,共4页
以全蒸镀方法在真空室内一次性制备了正装结构的全有机并五苯薄膜场效应晶体管。正装结构全蒸镀法有利于简化工艺制备程序,缩小器件尺寸,提高集成度。制备的绝缘层厚度仅为50nm的全有机薄膜场效应晶体管,器件的工作电压降至10V,相同电... 以全蒸镀方法在真空室内一次性制备了正装结构的全有机并五苯薄膜场效应晶体管。正装结构全蒸镀法有利于简化工艺制备程序,缩小器件尺寸,提高集成度。制备的绝缘层厚度仅为50nm的全有机薄膜场效应晶体管,器件的工作电压降至10V,相同电压下饱和输出电流有了明显提高。筛选适当的有机绝缘材料,改善全有机薄膜场效应晶体管有源层/绝缘层的界面性能,使阈值电压几乎降至0V,场效应迁移率提高了3倍多,输出饱和电流也有了明显的提高。 展开更多
关键词 蒸镀 全有机薄膜场效应晶体管
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柔性全有机薄膜场效应晶体管的制备和性能 被引量:8
2
作者 邱勇 胡远川 +3 位作者 董桂芳 王立铎 谢俊锋 马亚宁 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期909-912,共4页
在聚乙烯基对苯二酸酯基片上依次制备氧化铟锡电极、聚甲基丙烯酸甲酯绝缘层、并五苯半导体层和金电极,得到了柔性全有机薄膜场效应晶体管,器件的载流子迁移率为2.10×10-2cm2·(V·s)-1,开关电流比超过105.同时研究了柔性... 在聚乙烯基对苯二酸酯基片上依次制备氧化铟锡电极、聚甲基丙烯酸甲酯绝缘层、并五苯半导体层和金电极,得到了柔性全有机薄膜场效应晶体管,器件的载流子迁移率为2.10×10-2cm2·(V·s)-1,开关电流比超过105.同时研究了柔性全有机薄膜场效应晶体管在不同曲率半径下的性能. 展开更多
关键词 有机薄膜场效应晶体管 柔性 制备方法 载流子迁移率 开关电流比 正向制备法
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低电压并五苯薄膜场效应晶体管 被引量:1
3
作者 王伟 石家纬 +6 位作者 张宏梅 梁昌 全宝富 郭树旭 刘明大 方俊峰 马东阁 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期107-109,共3页
利用全蒸镀法,以并五苯作为有源层,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作为绝缘层,制备了全有机薄膜场效应晶体管(TFT).测试结果表明,器件具有较低的工作电压和较高的场效应迁移率.对工作机理进行了探讨.
关键词 并五苯薄膜场效应晶体管 蒸镀法 聚甲基丙烯酸甲酯 场效应迁移率
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聚合物薄膜场效应晶体管研究进展 被引量:3
4
作者 刘玉荣 李渊文 刘汉华 《现代显示》 2006年第7期60-64,共5页
有机薄膜场效应晶体管(OFET)在电子报纸、智能识别卡、大面积平板及柔性显示、传感器、数字逻辑电路等方面具有非常广阔的应用前景。在OFET家族中,聚合物半导体膜因具有机械性能好、热稳定性高、成膜方法简单经济以及特别适合于制备大... 有机薄膜场效应晶体管(OFET)在电子报纸、智能识别卡、大面积平板及柔性显示、传感器、数字逻辑电路等方面具有非常广阔的应用前景。在OFET家族中,聚合物半导体膜因具有机械性能好、热稳定性高、成膜方法简单经济以及特别适合于制备大面积器件等特点,而使聚合物薄膜场效应晶体管(PFET)近几年来倍受关注。本文概述PFET的基本结构和工作原理、器件设计和制备以及相关的研究进展,最后讨论PFET器件未来的研究方向。 展开更多
关键词 聚合物场效应晶体管 有机薄膜场效应晶体管 薄膜晶体管
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聚合物薄膜场效应晶体管研究进展 被引量:1
5
作者 刘玉荣 李渊文 刘汉华 《现代显示》 2006年第5期53-58,共6页
有机薄膜场效应晶体管(OFET)在电子报纸、智能识别卡、大面积平板显示及柔性显示、传感器、数字逻辑电路等方面具有非常广阔的应用前景。在OFET家族中,聚合物半导体膜因具有机械性能好、热稳定性高、成膜方法简单经济以及特别适合于制... 有机薄膜场效应晶体管(OFET)在电子报纸、智能识别卡、大面积平板显示及柔性显示、传感器、数字逻辑电路等方面具有非常广阔的应用前景。在OFET家族中,聚合物半导体膜因具有机械性能好、热稳定性高、成膜方法简单经济以及特别适合于制备大面积器件等特点,而使聚合物薄膜场效应晶体管(PFET)近几年来倍受关注。本文概述PFET的基本结构和工作原理、器件设计和制备以及相关的研究进展,最后讨论PFET器件未来的研究方向。 展开更多
关键词 聚合物 场效应晶体管 有机薄膜场效应晶体管 薄膜晶体管
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交联PMMA修饰的PVA绝缘层对P3HT有机场效应晶体管性能的影响 被引量:2
6
作者 张华野 张帆 +2 位作者 张猛 娄志东 滕枫 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期1542-1548,共7页
利用1,6-二(三氯甲硅烷基)己烷(C_6-Si)交联的聚甲基丙烯酸甲酯(C-PMMA)修饰聚乙烯醇(PVA)绝缘层(C-PMMA/PVA),并研究了修饰前后绝缘层的表面性质和电学性能。结果表明:经C-PMMA修饰后,虽然绝缘层表面粗糙度从0.386 nm增加到0.532 nm,... 利用1,6-二(三氯甲硅烷基)己烷(C_6-Si)交联的聚甲基丙烯酸甲酯(C-PMMA)修饰聚乙烯醇(PVA)绝缘层(C-PMMA/PVA),并研究了修饰前后绝缘层的表面性质和电学性能。结果表明:经C-PMMA修饰后,虽然绝缘层表面粗糙度从0.386 nm增加到0.532 nm,电容由14.2 n F/cm^2减小到11.5 n F/cm^2,但绝缘层的水接触角显著变大,从36°增加到68°,表明修饰后表面极性显著下降;此外,C-PMMA修饰的绝缘层的漏电流密度降低了约2个数量级。用纯PVA和C-PMMA修饰的PVA两种绝缘层制备了具有底栅顶接触结构的3-己基噻吩(P3HT)有机薄膜场效应晶体管,C-PMMA修饰PVA后器件性能显著提高,开关比提高了约20倍,迁移率增大了约4倍,分别达到~10~2cm^2·V^(-1)·s^(-1)和3.3×10^(-2)cm^2·V^(-1)·s^(-1),而且回滞现象明显降低。 展开更多
关键词 界面修饰 交联 有机薄膜场效应晶体管 回滞
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全印刷制备有机薄膜晶体管:进展与挑战 被引量:1
7
作者 贾晗钰 邹晓兰 +1 位作者 孙晴晴 刘旭影 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2021年第12期982-995,共14页
近几十年来,有机薄膜晶体管由于自身优异的柔性、溶液加工、物化性质可调、基底适用性广等优势在柔性显示、全贴合传感器阵列等现代电子产业领域展现着远超常规硅基薄膜晶体管的应用潜力。因有机薄膜晶体管溶液加工的特征,其制备可与多... 近几十年来,有机薄膜晶体管由于自身优异的柔性、溶液加工、物化性质可调、基底适用性广等优势在柔性显示、全贴合传感器阵列等现代电子产业领域展现着远超常规硅基薄膜晶体管的应用潜力。因有机薄膜晶体管溶液加工的特征,其制备可与多种印刷技术高度整合,尤其是晶体管沟道的活性层印刷。从有机薄膜晶体管的全印刷制备出发,探讨并总结了多种可用于晶体管制备的印刷策略,包括丝网印刷技术、刮涂印刷技术、凹版印刷技术、喷墨印刷技术以及其他印刷策略;还总结了薄膜晶体管不同部件的可印刷油墨材料,包括用于印刷金属电极的金属纳米颗粒油墨、可用于印刷介电层的高介电常数交联型高分子油墨、可用于印刷晶体管沟道的碳基、共轭小分子基、共轭聚合物基油墨;此外,根据晶体管的工作模式进一步讨论了可实现全印刷制备的有机薄膜晶体管类型,包括有机场效应晶体管、电解质门控有机晶体管、有机电化学晶体管。最后,对有机薄膜晶体管及更复杂电路在全印刷制备中的挑战和未来研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管 金属纳米颗粒油墨 有机半导体 高分子介电材料 印刷制备
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绝缘层/有源层界面修饰及对有机薄膜晶体管性能的影响 被引量:2
8
作者 陈玲 朱文清 +3 位作者 白钰 刘向 蒋雪茵 张志林 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1589-1593,共5页
制备了具有修饰层的有机薄膜场效应晶体管,采用高掺杂Si作为栅极,传统的无机绝缘材料SiO2作为栅绝缘层,有机绝缘材料PMMA或OTS作为修饰层,CuPc作为有源层,Au作为源、漏极.测试结果表明,采用经过修饰的栅绝缘层SiO2/OTS和SiO2/PMMA的两... 制备了具有修饰层的有机薄膜场效应晶体管,采用高掺杂Si作为栅极,传统的无机绝缘材料SiO2作为栅绝缘层,有机绝缘材料PMMA或OTS作为修饰层,CuPc作为有源层,Au作为源、漏极.测试结果表明,采用经过修饰的栅绝缘层SiO2/OTS和SiO2/PMMA的两种器件的开关电流比最高可达8×104,迁移率最高为1.22×10-3cm2/(V.s),而漏电流仅为10-10A,总体性能优于单层SiO2器件. 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管 栅绝缘层 场效应迁移率 修饰层
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新型并三苯有机薄膜晶体管
9
作者 王鹏 李东仓 +2 位作者 陈金伙 胡加兴 张福甲 《兰州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期85-88,共4页
以环氧树脂(Eproxyresin)为栅绝缘层材料,并三苯(Anthracene)为有机半导体载流子传输层, 分别利用旋涂及真空掩蔽蒸发,在以铜为栅极的基底之上成功研制了有机薄膜场效应晶体管(OTFT), 经测试得出器件的电子迁移率为2.34×10-2cm2/... 以环氧树脂(Eproxyresin)为栅绝缘层材料,并三苯(Anthracene)为有机半导体载流子传输层, 分别利用旋涂及真空掩蔽蒸发,在以铜为栅极的基底之上成功研制了有机薄膜场效应晶体管(OTFT), 经测试得出器件的电子迁移率为2.34×10-2cm2/(V·s),跨导为0.49 μs. 展开更多
关键词 并三苯 环氧树脂 有机薄膜场效应晶体管
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长春光机所在钙钛矿单晶场效应晶体管方面的研究获得新进展
10
作者 新型 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第4期170-170,共1页
近日,长春光机所郭春雷中美联合光子实验室与阿卜杜拉国王科技大学(沙特)、北卡罗来纳大学教堂山分校(美国)等单位合作在制备基于钙钛矿的场效应晶体管方面取得新进展。在过去的十年中,有机-无机杂化钙钛矿在光伏、光电探测、发光等领... 近日,长春光机所郭春雷中美联合光子实验室与阿卜杜拉国王科技大学(沙特)、北卡罗来纳大学教堂山分校(美国)等单位合作在制备基于钙钛矿的场效应晶体管方面取得新进展。在过去的十年中,有机-无机杂化钙钛矿在光伏、光电探测、发光等领域的研究获得了巨大的进展。然而,利用钙钛矿材料制备经典的器件--场效应晶体管(FET)仍然存在巨大的挑战。主要原因在于晶体管中载流子在横向和界面的传输特别容易受到钙钛矿多晶薄膜晶面状态和晶粒中普遍存在的缺陷的影响。 展开更多
关键词 场效应晶体管 长春光机所 钙钛矿 有机-无机杂化 单晶 材料制备 光电探测 多晶薄膜
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聚合物薄膜晶体管制备条件对其性能影响分析 被引量:2
11
作者 谢应涛 欧阳世宏 +3 位作者 王东平 朱大龙 许鑫 方汉铿 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期427-431,共5页
基于溶液法制备稠合噻吩-吡咯并吡咯二酮聚合物薄膜晶体管,比较不同制备环境下的薄膜晶体管的转移特征曲线。结果表明,旋涂环境对聚合物薄膜晶体管的影响可以忽略,但是退火环境对聚合物薄膜晶体管的影响至关重要,从饱和迁移率角度来看,... 基于溶液法制备稠合噻吩-吡咯并吡咯二酮聚合物薄膜晶体管,比较不同制备环境下的薄膜晶体管的转移特征曲线。结果表明,旋涂环境对聚合物薄膜晶体管的影响可以忽略,但是退火环境对聚合物薄膜晶体管的影响至关重要,从饱和迁移率角度来看,在惰性环境下退火的器件的饱和迁移率是在空气中退火的器件的两倍多。无论退火温度是100°C低温情况还是190°C高温情况,上述结论均适用。这一结果表明退火环境对器件的影响至关重要。 展开更多
关键词 聚合物 有机薄膜晶体管 场效应迁移率
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有机发光晶体管的研究进展 被引量:1
12
作者 娄志东 杜文树 +1 位作者 齐洁茹 杨盛谊 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期313-318,323,共7页
兼备有机发光二极管及薄膜场效应晶体管特性的有机发光晶体管(OLET)不仅可能取代薄膜晶体管驱动的液晶显示,应用于大面积的全有机有源矩阵柔性显示中,还在集成电路信号处理等方面具有潜在的应用价值。文章概述了OLET的发展进程,并从器... 兼备有机发光二极管及薄膜场效应晶体管特性的有机发光晶体管(OLET)不仅可能取代薄膜晶体管驱动的液晶显示,应用于大面积的全有机有源矩阵柔性显示中,还在集成电路信号处理等方面具有潜在的应用价值。文章概述了OLET的发展进程,并从器件结构、工作原理和材料等方面对其进行了概述。 展开更多
关键词 有机发光晶体管 薄膜场效应晶体管 发光二极管
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有机薄膜场效应晶体管的研制 被引量:7
13
作者 邱勇 胡远川 +2 位作者 董桂芳 王立铎 高裕弟 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期580-583,共4页
采用聚四氟乙烯充当绝缘材料,利用全蒸镀法制备得到了有机薄膜场效应晶体管.源极和漏极采用氧化铟锡,半导体层和绝缘层分别由铜酞菁和聚四氟乙烯充当,栅极采用银电极.在利用光刻制备沟道长度为50μm的源极和漏极后,依次真空沉积铜酞菁... 采用聚四氟乙烯充当绝缘材料,利用全蒸镀法制备得到了有机薄膜场效应晶体管.源极和漏极采用氧化铟锡,半导体层和绝缘层分别由铜酞菁和聚四氟乙烯充当,栅极采用银电极.在利用光刻制备沟道长度为50μm的源极和漏极后,依次真空沉积铜酞菁层、聚四氟乙烯层和银层,得到器件的电子迁移率为1.1×10^(-6)cm^2·(V·s)^(-1),开关电流比大于500. 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管 铜酞菁 聚四氟乙烯 蒸镀法 银电极 氧化铟锡
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低栅极电压控制下带有phenyltrimethoxysilane单分子自组装层的有机薄膜晶体管场效应特性研究 被引量:3
14
作者 袁广才 徐征 +4 位作者 赵谡玲 张福俊 许娜 孙钦军 徐叙瑢 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期4941-4947,共7页
制作了底栅极顶接触有机薄膜晶体管器件,60 nm的pentacene被用作有源层,120 nm热生长的SiO2作为栅极绝缘层.通过采用不同自组装修饰材料对器件的有源层与栅极绝缘层之间的界面进行修饰,如octadecyltrichlorosilane(OTS),phenyltrimethox... 制作了底栅极顶接触有机薄膜晶体管器件,60 nm的pentacene被用作有源层,120 nm热生长的SiO2作为栅极绝缘层.通过采用不同自组装修饰材料对器件的有源层与栅极绝缘层之间的界面进行修饰,如octadecyltrichlorosilane(OTS),phenyltrimethoxysilane(PhTMS),来比较界面修饰层对器件性能的影响.同时对带有PhTMS修饰层的OTFTs器件低栅极电压调制下的场效应行为及其载流子的传输机理进行研究.结果得到,当|VGS|<0.1 V时,载流子在如此小的栅极电压调制下已经不能过多在半导体有源层与栅极绝缘层之间的界面处积聚,使OTFTs器件的输出电流保持相对的平衡.但是,器件的调制栅压在-0.001V时,器件仍然有好的输出特性,当VDS为-20 V时,器件的场效应迁移率为3.22×10-3cm2/Vs,开关电流比为1.43×102,阈值电压为0.66 V. 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管 自组装单分子层 场效应迁移率 低栅极调制电压
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有机薄膜场效应晶体管 被引量:6
15
作者 胡文平 刘云圻 朱道本 《物理》 CAS 1997年第11期649-653,共5页
从有机薄膜场效应晶体管的结构、原理以及用作场效应管的有机材料种类等几个方面对这种新型的电子器件作了扼要的论述.
关键词 有机薄膜 场效应 晶体管 场效应器件
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易于集成的有机薄膜场效应晶体管的制备 被引量:2
16
作者 王伟 石家纬 +7 位作者 郭树旭 全宝富 刘明大 张宏梅 梁昌 张素梅 游汉 马东阁 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1262-1265,共4页
用有机半导体并五苯作为有源层,聚四氟乙烯作为绝缘层,采用全蒸镀方式在真空室一次性制备了正装结构的有机薄膜场效应晶体管(OTFT)。薄的有机绝缘层使得器件工作在低电压下,有机薄膜场效应晶体管易于与显示像素(有机发光二极管(OLED))... 用有机半导体并五苯作为有源层,聚四氟乙烯作为绝缘层,采用全蒸镀方式在真空室一次性制备了正装结构的有机薄膜场效应晶体管(OTFT)。薄的有机绝缘层使得器件工作在低电压下,有机薄膜场效应晶体管易于与显示像素(有机发光二极管(OLED))集成在同一个透明的刚性或者柔性衬底上。研究了有机薄膜场效应晶体管的源漏接触电阻和沟道电阻对器件性能的影响,结果表明接触电阻是影响器件性能的主要因素。在透明的玻璃衬底上实现了有机薄膜场效应晶体管对同一衬底上100μm×200μm红色有机发光二极管的驱动。 展开更多
关键词 光电子学 并五苯 有机薄膜场效应晶体管 源漏接触电阻 蒸镀制备
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日开发出制作有机半导体单晶薄膜的新技术
17
《粘接》 CAS 2011年第8期74-74,共1页
日本一个研究团队14日在英国《自然》杂志网络版上报告说,他们开发出一种制作有机半导体单晶薄膜的新技术。 新技术由日本产业技术综合研究所等机构的科研人员联合开发。据称,该技术能使平板显示器等大面积电子设备所需的薄膜场效应... 日本一个研究团队14日在英国《自然》杂志网络版上报告说,他们开发出一种制作有机半导体单晶薄膜的新技术。 新技术由日本产业技术综合研究所等机构的科研人员联合开发。据称,该技术能使平板显示器等大面积电子设备所需的薄膜场效应晶体管(TFT)的性能比用传统方法制成的产品高百倍以上。 展开更多
关键词 有机半导体 单晶薄膜 新技术 日本产业技术综合研究所 开发 制作 《自然》杂志 场效应晶体管
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有机薄膜晶体管中接触效应的研究
18
作者 孙钦军 徐征 +4 位作者 赵谡玲 张福俊 高利岩 田雪雁 王永生 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期8125-8130,共6页
研究了接触效应对有机薄膜晶体管性能的影响.首先在n型重掺杂Si片上制备了以MOO3修饰的Al电极为源漏电极的Pentacene基OTFTs(organic thin film transistors),器件场效应迁移率μef达到0.42cm2/V·s,阈值电压VT为-9.16V,开关比4.7&#... 研究了接触效应对有机薄膜晶体管性能的影响.首先在n型重掺杂Si片上制备了以MOO3修饰的Al电极为源漏电极的Pentacene基OTFTs(organic thin film transistors),器件场效应迁移率μef达到0.42cm2/V·s,阈值电压VT为-9.16V,开关比4.7×103.通过中间探针法,对器件电势分布做了定性判断,发现源漏端电势分布不均匀;沟道电阻RL和接触电阻RC都随着栅压VG增加而减小,并且RL减小的比RC更快;RL随源漏电压VDS增加缓慢变大.随后采用电荷漂移理论对其输出特性进行了分析和理论模拟,发现考虑接触电阻后,由实验结果计算得出的器件场迁移率增加两倍多,达到1.1cm2/V·s.因此如何分析、减小接触电阻是OTFT器件提高性能和实现、扩大应用中要解决的重要问题之一. 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管 场效应迁移率 接触效应 电荷漂移
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日开发出制作有机半导体 单晶薄膜的新技术
19
《科技创新与生产力》 2011年第8期112-112,共1页
日本一个研究团队近日在英国《自然》杂志网络版上报告说,他们开发出一种制作有机半导体单晶薄膜的新技术。据称,该技术能使平板显示器等大面积电子设备所需的薄膜场效应晶体管(TFT)的性能比用传统方法制成的产品高百倍以上。
关键词 有机半导体 单晶薄膜 新技术 制作 开发 《自然》杂志 场效应晶体管 平板显示器
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最小二乘拟合计算有机薄膜晶体管迁移率的研究 被引量:7
20
作者 陈跃宁 徐征 +3 位作者 赵谡玲 孙钦军 尹飞飞 董宇航 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期8113-8117,共5页
本文通过制备了一个基于并五笨为有源层的顶栅底接触OTFT器件获取电流电压实验数据,并运用电流电压特性曲线理论拟合计算方法计算其场效应迁移率.研究发现,采用不同的拟合方法得到的场效应迁移率值有较大的差异.若选取转移特性曲线线性... 本文通过制备了一个基于并五笨为有源层的顶栅底接触OTFT器件获取电流电压实验数据,并运用电流电压特性曲线理论拟合计算方法计算其场效应迁移率.研究发现,采用不同的拟合方法得到的场效应迁移率值有较大的差异.若选取转移特性曲线线性区距中心1/2范围内测试点进行最小二乘拟合计算出的场效应迁移率能减少采用其他拟合方法的固有不准确性,而且与其他方法得到的场效应迁移率最接近. 展开更多
关键词 最小二乘拟合 场效应迁移率 有机薄膜晶体管
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