低启亮电压全溶液加工量子点发光器件

采用旋涂制备的纳米银(Silver nanoparticle,Ag NPs)作为阴极,制备了全溶液加工的红、绿、蓝量子点发光二极管(red,green,blue-quantum dots light-emitting diodes,R-,G-,B-QLEDs)。并针对溶液加工Ag NPs阴极器件启亮电压(Turn-on voltage,Vt)较蒸镀Ag阴极器件偏高的问题,采用了低真空与热退火组合工艺干燥Ag NPs阴极,实现了可以与真空蒸镀金属阴极比拟的Vt,R-,G-,B-QLEDs的Vt分别为1.9,2.6,3.2 V。实验结果表明,该阴极处理工艺可能为研制低Vt的全印刷显示发光器件提供新的工艺思路。

基于掺杂空穴注入层的高性能全溶液加工量子点发光二极管

全溶液加工量子点发光二极管(Quantum Dot Light-Emitting Diodes,QLEDs)在未来显示和照明领域具有极大的潜在应用价值.目前,空穴注入困难导致的空穴和电子注入不平衡仍是阻碍高效全溶液加工QLEDs实现的主要因素.因此,如何降低空穴注入势垒,提高空穴注入效率是制备高效全溶液加工QLEDs需要考虑的首要问题.本文利用氧化石墨烯(Graphene Oxide,GO)掺杂聚(3,4-亚乙基二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐)(PEDOT:PSS)(体积比为1:2)作为空穴注入层,通过提高空穴注入层的功函数及其在下层薄膜上的浸润性,制备了高效的全溶液加工倒置型QLEDs:ITO/ZnMgO/QDs/PVK/PEDOT:PSS-GO/Al.其最大的发光强度高达51392 cd/m2,最大的电流效率为7.60 cd/A.相比未掺杂的参考器件,均实现了近1.3倍的增长.同时,我们还利用该方法制备了正置结构器件:ITO/PEDOT:PSS-GO/PVK/QDs/ZnMgO/Al,并与未掺杂的正置结构器件进行了比较,发现掺杂空穴注入层PEDOT:PSS-GO的引入同样可以使全溶液加工的正置QLEDs的性能增强,使其最大发光强度实现了0.29倍的增长.以上结果表明,掺杂空穴注入层PEDOT:PSS-GO的引入可以提高正置和倒置两种结构QLEDs的性能.相比而言,其对全溶液加工倒置QLEDs的影响更为突出.表明这是实现高效倒置结构全溶液加工QLEDs的一种简单、有效的方法.

喷墨打印有机电致发光显示屏的制作工艺及研究进展

综述了喷墨打印制备有机发光二极管显示屏(OLED)的发展历程。主要包括聚合发光二极管(PLED)的发明,喷墨打印法制备单色和全彩PLED显示屏及全彩有机发光显示屏(OLED)的研发3个主要阶段。较详细地介绍了国外为获得喷墨打印OLED显示屏核心工艺——高性能喷墨打印墨水配方和大面积阴极成膜工艺所开展的研究和取得的进展。对打印墨水配方和大面积阴极成膜工艺的细节作了详尽的描述。介绍了华南理工大学在研发了新的阴极界面材料的基础上,采用全溶液印刷工艺制备OLED显示屏的研究结果,并给出全溶液法OLED显示屏试验样品的详细数据。全溶法工艺无需真空热蒸镀金属工序,是喷墨打印制备OLED技术的一项重要进展。全溶液喷墨打印制备的OLED显示屏已在诸多方面获得应用,被证明具有工艺简单、成本低、低温工艺、可柔性弯曲等优点,适合于卷对卷规模化生产,但需要开发出更优质的阴极打印墨水和性能更高的阴极功能材料,才有可能采用全溶液法制备出大面积、出光效率更高的OLED显示屏,并进入工业化生产。