陡峭亚阈值摆幅的全溶液法有机场效应晶体管

本工作通过优化高k/低k双绝缘层系统,在同一个有机场效应晶体管(organic field effect transistor,OFET)结构里将大栅绝缘层电容和低沟道层亚带隙态密度结合起来。即使使用厚度大于360 nm的绝缘层,也能实现最小64 mV·dec^(-1)的亚阈值摆幅(subthreshold swing,SS)。这是目前所有已报道的低电压OFETs里最小的SS,甚至能比得上采用22nm技术工艺的Si-FETs。因此,该器件能够在0. 8 V的小电压范围内实现高达105的开关比。并且该器件还表现出了优异的工作稳定性和存储稳定性。将制备的OFET偏置在亚阈值区域,能够实现对低离子浓度和微弱荧光信号的检测。