测量XAFS谱的全电子产额技术

在北京同步辐射实验室XAFS实验站上建立了利用全电子产额方法探测XAFS的实验方法。通过测量单色X－射线在样品表面激发出的电子产额随X－射线能量的变化，提取在吸收边附近的XAFS震荡。对不同厚度Cu薄膜的测量表明，在Cu的K吸收边附近可观察到信噪比很好的XAFS震荡。该探测器设计简单，可以直接在大气下工作。全电子产额XAFS方法的建立，有助于导电薄膜和材料的近表面结构研究。

一种加偏压减小磁场对样品电流信号影响的方法

在用样品电流法测量X射线磁性圆二色谱中,外磁场的存在严重降低了样品电流信号。针对合肥NSRL软X射线磁性圆二色实验站内置式可旋转磁铁设计并安装一个紧靠磁极的高压金网,来增强磁场下的样品电流信号。发现不同磁场下随偏压升高,样品电流信号迅速增强并趋于饱和;磁场越强,达到饱和需要的偏压越高;比较相同磁场和偏压下均匀氧化的Al箔和CoFe薄膜正反磁场下的吸收谱,发现加磁场和偏压引入的系统误差仅相当于Co的圆二色值的2.17%;表明用这种方法进行X射线磁性圆二色谱的测量是可行的。

样品电流模式下外磁场引起的X射线吸收谱强度变化

在用样品电流模式的测量过程中发现,磁场强度、磁场与样品表面的夹角以及光斑在样品表面的位置都会对吸收谱强度产生影响;在光斑、磁场和样品的不同几何配置下,测量并分析了表面均匀氧化的铝箔中氧的K边吸收谱,指出外磁场下吸收谱强度随各种条件变化的趋势,并对实验结果给出了合理解释;结果表明所用的模型分析与实验数据符合得很好;所得到的信息对于XMCD实验的设计安排、相应数据的分析以及物理信息的提取具有重要意义.