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用于CMOS工艺的双功函数Ni全硅化物金属栅(英文)
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作者 周华杰 徐秋霞 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1532-1539,共8页
研究了Ni全硅化物金属栅功函数调整技术.研究表明,通过在多晶硅硅化前向多晶硅栅内注入杂质能够有效地调整Ni全硅化物金属栅的栅功函数.通过注入p型或n型杂质,如BF2,As或P,能够将Ni全硅化物金属栅的功函数调高或调低,以分别满足pMOS管和... 研究了Ni全硅化物金属栅功函数调整技术.研究表明,通过在多晶硅硅化前向多晶硅栅内注入杂质能够有效地调整Ni全硅化物金属栅的栅功函数.通过注入p型或n型杂质,如BF2,As或P,能够将Ni全硅化物金属栅的功函数调高或调低,以分别满足pMOS管和nMOS管的要求.但是注入大剂量的As杂质会导致分层现象和EOT变大,因此As不适合用来调节Ni全硅化物金属栅的栅功函数.由于FUSI工艺会导致全硅化金属栅电容EOT减小,全硅化金属栅电容的栅极泄漏电流大于多晶硅栅电容. 展开更多
关键词 金属栅 全硅化 硅化物
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全硅化钠盐干粉致眼损伤2例
2
作者 卢忠国 温日霞 《眼外伤职业眼病杂志》 北大核心 1998年第2期139-139,共1页
关键词 眼损伤 灭火剂 全硅化钠盐干粉
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