空气对HAC太阳电池晶体硅/本征非晶硅界面污染情况分析

采用热丝CVD法在N型体硅上以全程真空环境镀膜与IN镀膜后破真空再镀IP的不同形式,分别生长IN-IP非晶硅膜层,用WCT-120对薄膜钝化性能进行分析,并用wxAMPS软件模拟样品电池效率。比对结果表明全程真空环境镀膜样品的反向饱和电流密度(J_(0))和理论开压(iVOC)分别为5.12×10^(-15) A·cm^(-2)和0.731 V,模拟效率为23.15%;IN-IP破真空镀膜样品的J_(0)和iVOC分别为9.06×10^(-14) A·cm^(-2)和0.654 V,模拟效率为20.24%。因此,热丝CVD全程真空环境相对于IN-IP破真空镀膜具有更优的膜层生长方法。